补充资料：光致发光法测量

光致发光法测量
photoluminescence method

光致发光法测t曲oto一uxnineseence method受光照激发的物质处于较高的能态，在回复到低能态时，多余的能量通过光和热的形式释放出来，如果以光的形式发射出来，就称为光致发光。固体的光致发光研究可追述到20世纪50年代，那时研究的重点是绝缘体中离子的内辐射跃迁。到60年代，随着大功率连续工作气体激光器的问世，激光光谱技术的发展，半导体光致发光研究受到了广泛重视。 原理半导体受到光的本征激发时(光子能量h。大于禁带宽度凡)，电子从价带跃迁到导带，产生非平衡载流子电子一空穴对，非平衡的电子可直接越过禁带与价带的空穴复合，也可在被禁带中定域态俘获后再与空穴复合。复合可以是辐射复合即发光.或者是非辐射的表面复合，俄歇复合和发射多声子的复合等。半导体中主要的辐射复合过程包括:①带边复合。导带电子与价带空穴复合(e，h)，自由激子复合(F，X)以及束缚在中性、电离状态的浅施主和受主上的束缚激子复合(D气X，D+，X，A。，X，A一，X)等。只在比较纯净的半导体材料里才能观察到(e，h)和(F，X)复合发光的分立谱，而束缚激子复合发光强度则随杂质浓度提高而增加。当杂质浓度过高时，分立的带边谱相互重叠形成带l(图ib)。②电子从自由态到束缚态的复合跃迁(FB)。即导带电子经过浅施主与价带空穴或者是价带空穴经浅┌─┬──┬────┬────┬─┬──────┬─────┬──┐│〕│1 │ │ │ │ │ │ │├─┼──┼────┼────┼─┼──────┼─────┼──┤│ │】 │ 习 │氢一;， │及│ { │甘曰 │. ││ │} │匕P沙1; │ FB │ │FB │. │FBD ││ │} │‘F，X) │ │ │ . │介口~ │ ││ │} │ │ │ ├──────┼─────┼──┤│ │1 │ │ │ │压A │ . │J ││ │} │ │ │ │ │FBD │. ││ │ │ │ │ │ │ │r、 │├─┼──┼────┼────┼─┼──────┼─────┴──┤│门│民}1│l │l‘ │ │ │ 下 │└─┴──┴────┴────┴─┴──────┴────────┘FBDAPFBD 复合(发射)过程 ab图l光致发光示意图与PJ_图谱激发过程a半导体光致发光示意图b典型的PL图谙受主与导带电子的复合跃迁。

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