1) Diluted magnetic semiconductor nanocrystal
稀磁性半导体纳米晶体
1.
Diluted magnetic semiconductor nanocrystal (DMSNC) is a new type of semiconductor materials.
近年来兴起的稀磁性半导体纳米晶体(DMSNC)是一种新型的半导体材料,由于其优异的光电磁性能得到了国内外研究人员的重视,并取得了快速发展,有望在多个领域得到应用。
2) Semiconductor nanocrystals
半导体纳米晶体
1.
Some typical doping methods and technics of Ⅱ-Ⅵ group semiconductor nanocrystals are presented.
介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在的问题。
3) semiconductor nanocrystals
半导体纳米晶
1.
In recent years,the applications ofⅡ-Ⅵsemiconductor nanocrystals in combination with polymer in the fields of optoelectronic devices have become the research focus in the domestic and overseas areas.
Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶与聚合物的复合物在光电器件领域的应用近年来成为国内外研究的热点。
2.
The colloidal semiconductor nanocrystals are playing more and more important role in the aspect of optical devices, disease diagnosis, laser, etc.
半导体纳米晶由于其独特的光学和电学性质在光学器件、医疗诊断、激光等方面有了越来越重要的应用。
3.
Due to quantum confinement effect,band gap of semiconductor nanocrystals(NCs) is dependent on the particle size.
由于量子限域效应,半导体纳米晶的能带宽随粒子大小而改变。
4) semiconductor nanocrystal
半导体纳米晶
1.
Due to their unique size-dependent optical and electronic properties, semiconductor nanocrystals have attracted a great deal of attention in recent decades.
半导体纳米晶材料由于具有表面效应、量子尺寸效应、介电限域效应、特殊的热学性质、光学性质及光电化学性质等而成为材料科学和化学领域的研究热点。
2.
CdSe/CdS core/shell semiconductor nanocrystals(CdSe/CdS C/S NCs) were prepared by CdS epitaxial growth on the surface of CdSe semiconductor NCs in aqueous phase through co-precipitation.
采用共沉淀法在水相中将CdS外延生长于CdSe半导体纳米晶(CdSe NCs)表面,制备了结晶形态较好的CdSe/CdS核壳结构半导体纳米晶(CdSe/CdSC/SNCs),并改善了CdSe NCs的荧光性能。
5) InN semiconductor nanocrystals
InN半导体纳米晶
1.
Study on the transformation activation energy in InN semiconductor nanocrystals;
InN半导体纳米晶相变活化能的研究
6) diluted magnetic semiconductors
稀释磁性半导体
1.
ZnO-based diluted magnetic semiconductors Zn_(1-x)Co_xO(x=0.
采用化学共沉淀法合成了稀释磁性半导体Zn1-xCoxO(x=0。
补充资料：半导体晶体结构
半导体晶体结构
crystal structure of semiconductor
半导体晶体结构crystal strueture of semieon-duCtor半导体晶体内部原子或离子在空间上有规则的周期性的排列。不同的半导体材料有不同的晶体结构。常见的应用最广的元素半导体和二元化合物半导体的晶体结构，主要是金刚石型、闪锌矿型和纤锌矿型，还有少量是氯化钠型。一些重要的半导体材料的晶体结构见表。有些材料在不同条件下可以有不同的晶体结构。晶体结构对材料的某些物理、化学性能有较大的影响。 l要半导体材料的晶体结构┌────┬────────────────┐│晶体结构│重要半导体材料 │├────┼────────────────┤│金刚石型│C(金刚石)、51、Ge、灰一Sn │├────┼────────────────┤│闪锌矿型│BN.、BP、AIP、GaP、InP、BAs、 ││ │A IAs、GaAs、InAs、BSb、AISb、 ││ │Gasb、Insb、ZnO.、ZnS中，CdS*、 ││ │HgS.、Znse，Cdse.、Hgse、ZnTe、 ││ │CdTe、HgTe、SIC │├────┼────────────────┤│纤锌矿型│BN中、A IN、GaN、InN、ZnO.、 ││ │ZnS*、CdS*、HgS.、Cdse* │├────┼────────────────┤│氯化钠型│Cd()、PbS、Pbse、PbTe │└────┴────────────────┘*具有两种不同结构类型 图1金刚石结构的顶点上，呈四面体结构。闪锌矿结构与金刚石结构相似，不同之处在于这两套面心立方晶格分别由两种不同原子组成(图2)。每个原子各以4个异类原子为最近邻，它们处于四面体的顶点上，因此也有四面体结构，但不再具有 金刚石结构和闪锌矿结构属立方晶系。金刚石结构是由相同原子组成的两套面心立方晶格沿其空间对角线位移1/4的长度套构而成(图l)。任一原子都有4个最近邻原子，它们总是处在一个正四面体图2闪锌矿结构反演中心。纤锌矿结构与闪锌矿结构相近，也以四面体图3纤锌习结构1/2的长度套构而成(图4)。
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参考词条