说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> SrTiO3薄膜
1)  SrTiO_3 thin film
SrTiO3薄膜
1.
Rapid crystallization of amorphous SrTiO_3 thin film;
在Si(111)基片上采用脉冲激光沉积(PLD)方法,烘烤温度300℃,制备得到非晶态SrTiO3薄膜
2)  SrTiO_3 thin films
SrTiO3薄膜
1.
A new structure of electric bias tunable interdigital capacitor, which SrTiO_3 thin films deposited on top of the Y_1B_2Cu_3O_(7-x) interdigital electrode, was prepared using pulsed laser deposition.
通过对 SrTiO3薄膜的原位生长温度与薄膜微观结构及非线性介电性能之间的关系研究,发现随生长温度的升高薄膜晶粒逐步增大然后变小,薄膜的介电常数可调率和本征介电损耗随晶粒大小的增大而增加,而非本征损耗则随晶粒取向的增加而减小。
3)  SrTiO_3/Ta_2O_5 stacked layer
SrTiO3/Ta2O5复合膜
4)  SrTiO 3
SrTiO3
1.
The rheological properties of SrTiO 3 suspersions and the effect of dispersant concentration on suspension stability are studied by meansof colloidal electrosteric stabilization mechanism.
本文采用胶体“电空间稳定机制”,以PMAA-NH4为分散剂,以沉降高度作为衡量浆料稳定性的参数,研究了SrTiO3粉末的悬浮流变特性及分散剂PMAA-NH4加入量对SrTiO3浆料稳定性的影响。
2.
The Electron Energy Loss Spectrum(EELS)of grain boundary composition of SrTiO 3 doped with Fe 3+ ,Nb 5+ was studied by using a high spatial resolution Scanning Transmission Electron Microscope(STEM).
采用高空间分辨率扫描透射电镜(STEM)对掺杂(Fe3+、Nb5+)SrTiO3晶界进行了观察,并利用采集的电子能量损失谱(EELS)对晶界组成进行了分析。
3.
Homoepitaxial SrTiO 3 thin film was grown by laser molecular beam epitaxy(LMBE) on SrTiO 3(100) single crystal substrates in ultrahigh vacuum(UHV).
在超高真空下利用激光分子束外延 (LMBE)方法基于SrTiO3 (10 0 )单晶基片同质外延SrTiO3 薄膜。
5)  SrTiO_3
SrTiO3
1.
In this paper,the molecular dynamics method is adopted to simulate the melting process of SrTiO_3 with the interaction model of PIM.
采用分子动力学方法,势函数为PIM势,模拟了SrTiO3的熔化过程,将熔化的SrTiO3快速冷却到室温以获得非晶态。
2.
A SrTiO_3 single crystal (30mm×60mm) was successfully grown by the flame fusion method using SrTiO_3 powder hydrolyzed controllably from strontium chloride and titanium chloride.
本文以氯化锶和氯化钛为原料,采用控制水解法制备SrTiO3 原料粉末,使用焰熔法生长了SrTiO3 单晶体。
3.
In this paper, the making technology, ceramic composition and structure of a varistor-capacitor double properties chip component based on SrTiO_3 are described.
阐述了SrTiO3片式化压敏-电容双功能元件的制作工艺、陶瓷成分及结构,并讨论了陶瓷成分、结构及烧结工艺对元件压敏、电容性能的影响。
6)  thin film
薄膜
1.
Effects of annealing temperature on microstructure and cohesion of ZrW_2O_8 thin films;
退火温度对ZrW_2O_8薄膜结构和结合力的影响
2.
Fabrication and low temperature sintering of GDC thin film;
氧化钆掺杂纳米氧化铈薄膜的制备与烧结性能研究
3.
Fabrication of CuS nano/micro tube thin films and CuO nano/micro crystal thin films using CuCl nanorod films as precursor;
以CuCl纳米棒薄膜为前驱体制备CuS纳米/微米管和CuO纳米/微米晶薄膜
补充资料:BOPP薄膜用抗静电剂选择方法
据专家介绍,抗静电剂是BOPP薄膜助剂中需求量最大的品种,大多数用途的BOPP薄膜生产过程都需要加入抗静电母料。抗静电剂种类很多,按化学结构来区分,有阳离子型抗静电剂、阴离子型抗静电剂、非离子型抗静电剂和高分子导电型抗静电剂4种。
 

 

    在BOPP薄膜的加工或使用过程中,由于薄膜间的摩擦而产生静电作用,会吸附空气的灰尖或其他污染物,这不仅影响到薄膜表面的美观,而且在使用过程中也会发生相互粘结,影响正常生产。另外,静电的存在会对人体造成极大的伤害。为此,在BOPP薄膜的加工过程中要加入对抗静电或抗静电母料可降低并消除静电。
                
                   
    在国外,BOPP薄膜抗静电剂的发展很快,尤其是美国、日本和欧洲等发达国家,无论是抗静电剂的生产和销售均居世界前列。日本的BOPP薄膜抗静电剂生产也逐步增K,其中主要厂家有花王石碱、狮子、日本油脂、九菱油化、松本油脂以及第一制药公司等6家。另外,日本大日精华公司开发了13Elecon—300型用于PP和PE树脂。新加坡聚丙公司的产品也适用于BOPP薄膜。欧洲总的来说发展比较稳定,但也看到抗静电剂的问题不容易根本解决,目前尚未有最佳消除BOPP薄膜表面静电的措施,国际上做了大量的研究,但进展也不显著。
                
    与国外相比,国内抗静电剂的研制工作起步较晚,远远落后于发达国家,每年都需要进口大量的抗静电剂和抗静电母料。但近年来抗静电剂的研制获得了一定的进展。目前正向开发导电填料新品种、降低添加量、综合利用填料各种性能、革新加工工艺、提高和稳定产品的抗静电性能等方向发展。专家指出,目前抗静电剂开发的技术关键集中在各类表面活性剂的结构设计。近年来,双亲水性高分子型永久抗静电剂的开发研制工作进展较快,并已部分实现商品化。用各种亲水性聚合物作为抗静电剂,由此开发所谓聚合物合金型永久抗静电树脂,永久性抗静电剂在树脂中的分散状态对树脂的抗静电性有显著的影响。研究表明,永久性抗静电剂以层状结构或筋状形态主要均匀细微地分布在制品表面,形成网状“导电通道”,而中心部分较少且主要以颗粒状存在。高分子型永久抗静电剂可分为聚醚型和离子型。聚醚型包括聚环氧乙烷(PEO)、聚醚酯酰胺、PEG、PEEA和丙烯酸甲酯等;离子型包括季铵盐基甲基丙烯酸酯共聚物等。与低分子量的表面活性剂类抗静电剂相比,高分子型抗静电剂有抗静电效果且持效期长,发挥抗静电作用快,对空气的相对湿度依赖性小等优点。从国内外抗静电剂的发展趋势看,目前正朝着耐热、耐久、功能性强、适用性广和产品系列化的方向发展。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条