1) LiTaO 3
LiTaO3
1.
LiTaO 3 could coexist with Al 2O 3 matrix during the sintering process.
通过对压电、结构陶瓷粉末的选择搭配烧结 ,发现压电相LiTaO3 与基体Al2 O3 在烧结时能稳定共存 ,分别采用三种烧结路线制备了LiTaO3 /Al2 O3 陶瓷复合材料 ,对其微观组织与力学性能进行了研究 ,结果表明 ,LiTaO3 晶粒中的电畴结构清晰可见 ,采用适当的烧结路线制备的含有适量压电陶瓷颗粒的结构陶瓷基复合材料的力学性能显著改善 ,电畴运动引起的能量耗散是一种新的结构陶瓷增韧机
2.
In order to study the effect of ferroelectric/piezoelectric ceramic particles on mechanical properties of structural ceramics and its mechanisms, compatible LiTaO 3/Al 2O 3 (LTA) dual phase ceramics were fabricated by hot sintering, isostatical pressing and then pressureless sintering.
为了研究铁电 /压电陶瓷颗粒对结构陶瓷力学行为的影响规律及机理 ,分别采用真空热压烧结法和冷等静压成型无压烧结法制备了稳定共存的LiTaO3/Al2 O3(LTA)复相陶瓷 ,对比研究了其微观组织与力学性能 。
2) LiTaO_3
LiTaO3
1.
In this paper,a comparative experimental study on optical transparency of z-cut LiF,sapphire and LiTaO_3 under 10 11 Pa shock compression at our two-stage light-gas gun facility is presented.
在二级轻气炮上,用高速电子相机扫描照相技术和改进的Mallory实验装置,对z切LiF,Al2O3(蓝宝石)和LiTaO3单晶材料的冲击透光性进行了对比测量,并用黑密度计提取出动态图像定量化的光强对比度变化曲线。
2.
For liquid sensing applications in fluid field, Love wave sensors were designed and fabricated on 36°-YX LiTaO_3 substrate with PMMA thin film guiding layer.
为实现流体领域的液相传感,设计并制作了基于36°-YXLiTaO3作为压电衬底、PMMA薄膜作为波导层的Love波传感器;通过微电流电铸实验测量得到Love波传感器的质量灵敏度为-2。
3) LiTaO3 crystal
LiTaO3晶体
1.
In order to investigate the high-pressure phase transition behavior of LiTaO3 crystal,the 0K isothermal compression curves(P-V/V0) and enthalpies(H-P) were calculated up to 200 GPa with ab initio plane wave pseudopotential local density approximation method.
利用基于密度泛函理论的平面波赝势结合局域密度近似的从头算方法,计算了LiTaO3晶体在0~200 GPa压力范围内的冷压曲线(P-V/V0)和零温焓,以研究它的高压结构相变。
4) LiTaO3 wafer
LiTaO3晶片
1.
Ultrathin LiTaO3 wafer is needed as a sensitive lay for fabricating high performance pyroelectric infrared sensor array.
通常LiTaO3晶片的厚度远厚于红外热释电探测器件要求的厚度,所以需要采用键合减薄技术对LiTaO3晶片进行加工处理。
5) z-cut LiTaO_3 single-crystal
z-切LiTaO3
6) LiTaO3 powders
LiTaO3粉体
1.
Nanocrystalline LiTaO3 powders were prepared by using the polymeric precursor method.
采用聚合物前驱体方法,以柠檬酸为配位剂,乙二醇为酯化剂,低温合成纳米LiTaO3粉体。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条