1) Zn1-xCoxO crystal
Zn1-xCoxO晶体
1.
Zn1-xCoxO crystals were synthesized by chemical vapor transport method at 970℃ on the sapphire substrate and quartz substrate,respectively in this paper.
本文采用高温化学气相输运法,温度970℃,在蓝宝石和石英基片上制备Zn1-xCoxO晶体。
2) Zn1-xCoxO thin films
Zn1-xCoxO薄膜
1.
Zn1-xCoxO thin films,when the exterior magnetic fields are paraell or vertical for the face of films,the room temperature coercive force are only 6～7 G,show the characters of diulted magnetic semoconductor(DMS)and isotropy.
对Zn1-xCoxO薄膜的磁特性测量结果表明:薄膜具有室温(300 K)铁磁性;Zn1-xCoxO薄膜,无论外部磁场平行或垂直于薄膜平面,其室温矫顽力均仅为6~7 G,呈现典型的稀磁及磁各向同性特征;而对于多晶Zn1-xCoxO薄膜,其室温矫顽力在200~370 G之间展示出显著的磁化各向异性特征;同时讨论了薄膜的铁磁性起源及其各向异性机理。
3) Zn_(1-x)Mg_xS polycrystalline thin films
Zn1-xMgxS多晶薄膜
4) Zn_ 1-xMn_xSe
Zn1-xMnxSe
1.
Zn_ 1-xMn_xSe belongs to a class of materials called diluted magnetic semiconductors (DMS) where their cations in a non-magnetic compound were partially replaced by magnetic ions.
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。
5) Zn_(1/3)Nb_(2/3)
Zn1/3Nb2/3
1.
The effects of Zn_(1/3)Nb_(2/3) content on crystal structure and piezoelectric properties of the 0.
以xPMnS-(1-x)PZN四元系压电陶瓷为研究对象,通过研究Zn1/3Nb2/3含量的变化对0。
6) Zn1-x MnxO thin films
Zn1-xMnxO薄膜
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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