1) crystal interface
晶体界面
1.
By analyzing the structure of catalyst crystal,the effect of temperature on the lattice structure of catalyst metal and the solubility and diffuse velocity of carbon in catalyst,the effect of other elements added in catalyst metal on the activity of carbon and the effect of separating energy,crystal interface etc.
通过对催化剂晶体结构的分析,讨论了温度对催化剂金属晶格结构的影响,温度对催化剂中碳的溶解度与扩散速度的影响;催化剂金属中其他元素的加入对碳活度的影响,以及析出能量、晶体界面等对碳纳米管生长的影响。
3) crystal-vapor interface
晶体-蒸气界面<冶>
4) crystal lattice interface
晶格界面
1.
Molecular dynamics simulation of adsorption of PLL (poly-lysine) on crystal lattice interfaces;
分子动力学模拟聚赖氨酸在晶格界面上的吸附
5) interfase transcrystallization
界面横晶
6) Interface of spherulites
球晶界面
补充资料：晶体生长界面处的温度边界层
晶体生长界面处的温度边界层
temperatureboundary layer at crystal growth interface
晶体生长界面处的温度边界层temperatureboundary layer at erystal growth interfaee生长界面前沿温度分布不均匀的流体层。 在具有温度梯度的生长系统中，晶体的生长界面一般是温度为生长温度T。的等温面，流体内的温度高于生长温度。流体中热量传输有两种机制:①由温度梯度存在产生的热扩散(热传导);②在重力场中温度不均匀引起自然对流，以及晶体或增涡旋转产生搅拌所引起的强迫对流的对流传输。精确求解运动流体对温度场的影响是复杂的。引入温度边界层概念，采用温度边界层近似，可以把热量传输的问题简化。在温度边界层厚度击内，热量传输只有热扩散;在边界之外，热传输机制是对流。由于对流的搅拌作用，在边界之外流体温度Tb是均匀的。在边界层内，近似地认为温度分布是线性的。其斜率就是生长界面处的温度梯度(见图)。T‘，(、》二二‘二二‘二‘‘二‘二二T。O占T 温度:芝介层实线是由严格的理论得到的，虚线是作了边界层近似后的温度分布曲线。根据边界层近似有关系式旦工}=鱼丈丝立dZ}二=o务用数值计算方法得到温度边界层厚度 务=1 .6 kl，3夕1，6山一孟12式中k为热扩散系数，。为流体运动粘滞系数，。是晶体旋转角速度。。愈大，则搅拌作用愈强，边界层厚度愈薄。(洪静芬)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条