1)  electron probe microanalysis
电子探针微分析
2)  Electron probe micro-analysis (EPMA)
电子探针微分析（EPMA）
3)  electron probe microanalyzer,EPMA
电子探针微分析仪
4)  electronic
电子
1.
Development of an electronic optometer based on SCM;
单片机电子视力计的研制
2.
Clinical analysis on liposuction adopting electronic liposuction machine;
医用电子去脂机行抽脂术临床效果分析
3.
Research on the development of automobile electronic information industry ——based on the theory of industry growth;
基于产业成长理论的中国汽车电子信息产业发展研究
5)  electron
电子
1.
Mixed proton-electron conductors for hydrogen permeation;
质子-电子混合导体透氢膜
2.
Study of ion catch technology of electron microscopy in virus detection of patient s excrement;
离子扑捉电子显微镜技术检测患者粪便中病毒的方法
3.
Teaching research on electric and electron speciality oriented art recruiting students;
面向文科招生的电气、电子专业教学研究
6)  electrons
电子
1.
A comparison of ionizing radiation damage in CMOS devices from ~(60)Co Gamma rays,electrons and protons;
CMOS器件~(60)Coγ射线、电子和质子电离辐射损伤比较
2.
In order to study avalanche ionization mechanism, it is inevitable to deal with rates of electrons absorbing and losing energy.
研究雪崩破坏机理,必然涉及到电子吸收激光能量的速率和电子损耗能量的速率,这些都与电子和声子的散射有密切的联系。
3.
N-channel MOS transistors from CC4007,CC4011 and LC54HC04RH device were irradiated with different dose rate Co-60 gamma rays,lower energy protons(less then 9MeV)and 1MeV electrons.
利用不同剂量率γ射线、低能 (小于 9MeV)质子和 1MeV电子对CC40 0 7RH、CC40 11、LC5 4HC0 4RHNMOS FET进行了辐照实验 ,结果表明 ,在 +5V偏置条件下 ,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60 Co,而且质子能量越低 ,损伤越小 ;对于同等的吸收剂量 ,1MeV电子和60 Co造成的损伤差别不大 ;在高剂量率γ射线辐射下 ,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因 ,在接近空间低剂量率辐射环境下 ,LC5 4HC0 4RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷 ,而CC40 0 7RH器件则是氧化物陷阱电荷 。
参考词条
补充资料：电子探针分析
    　　以聚焦的高速电子来激发出试样表面组成元素的特征X射线,对微区成分进行定性或定量分析的一种材料物理试验,又称电子探针X射线显微分析。电子探针分析的原理是：以动能为10～30千电子伏的细聚焦电子束轰击试样表面，击出表面组成元素的原子内层电子，使原子电离，此时外层电子迅速填补空位而释放能量，从而产生特征X射线。
　　
　　用波长色散谱仪（或能量色散谱仪）和检测计数系统,测量特征X射线的波长（或能量）和强度，即可鉴别元素的种类和浓度。
　　
　　在不损耗试样的情况下，电子探针通常能分析直径和深度不小于1微米范围内、原子序数4以上的所有元素；但是对原子序数小于12的元素，其灵敏度较差。常规分析的典型检测相对灵敏度为万分之一，在有些情况下可达十万分之一。检测的绝对灵敏度因元素而异，一般为10-14～10-16克。用这种方法可以方便地进行点、线、面上的元素分析，并获得元素分布的图象。对原子序数高于10、浓度高于10％的元素，定量分析的相对精度优于±2％。
　　
　　电子探针仪是 X射线光谱学与电子光学技术相结合而产生的。1948年法国的R.卡斯坦制造了第一台电子探针仪。1958年法国首先制造出商品仪器。电子探针仪与扫描电子显微镜在结构上有许多共同处。70年代以来生产的电子探针仪上一般都带有扫描电子显微镜功能，有的还附加另一些附件，使之除作微区成分分析外，还能观察和研究微观形貌、晶体结构等。
　　
　　电子探针仪（图1）主要包括：探针形成系统 (电子枪、加速和聚焦部件等)、X射线信号检测系统和显示、记录系统、样品室、高压电源和扫描系统以及真空系统。
　　
　　电子探针的最早应用领域是金属学。对合金中各组成相、夹杂物等可作定性和定量分析，直观而方便，还能较准确地测定元素的扩散和偏析情况。此外，它还可用于研究金属材料的氧化和腐蚀问题，测定薄膜、渗层或镀层的厚度和成分等，是机械构件失效分析、生产工艺的选择、特殊用材的剖析等的重要手段。图2为镁合金中稀土氧化物在晶界析出的电子探针分析照片。
　　
　　参考书目
　　　S.J.B.里德著，林天辉、章靖国译：《电子探针显微分析》,上海科学技术出版社,上海,1980。(S.J.B.Reed,Electron Microprobe Analysis,Cambridge Univ.Pr.,London,1975.)
　　

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