1) epitaxial lateral overgrowth
横向外延
1.
Growth rate model of InP epitaxial lateral overgrowth;
横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型
2) lateral epitaxial overgrown(LEO)
横向外延生长
3) HVPE-ELO GaN
HVPE横向外延GaN
4) lateral epitaxial overgrowth
横向外延过生长
1.
The principle of lateral epitaxial overgrowth GaN thin film with MOCVD was introduced.
介绍了金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)法横向外延过生长GaN薄膜的原理,阐述了该技术形成选择生长和减少GaN薄膜缺陷密度的机理。
5) epitaxial lateral overgrowth without mask
无掩模横向外延过生长
6) the transverse extension
横向延展
补充资料：横向动量
见多重产生。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条