1) Solid Sampling graphite furnace atomic absorption spectrometry
直接固体进样原子吸收光谱
2) solid-state atomic absorption spectrometry
固态原子吸收光谱法
1.
A new method, solid-state atomic absorption spectrometry, was served as the determination of the composition of alloy steels.
采用一种新的合金成分分析法———固态原子吸收光谱法测定合金钢中成分。
4) Direct solid sampling
直接固体进样
1.
Direct solid sampling graphite furnace AAS, Offer a quite rapid as well as efficient solution for detection samples which contain noxious metal elements, difficult digest, or easy contaminated in farm products.
直接固体进样石墨炉原子吸收分析技术,为农产品中有毒有害金属元素、难消解样品、易污染样品的检测提供了快速、有效的解决方案。
5) Direct solid sample introduction
固体直接进样
6) Atomic Absorption Spectrometry
原子吸收光谱
1.
Flame atomic absorption spectrometry method in successive determination of Ag,Cu,Zn;
用火焰原子吸收光谱法连续测定银、铜、锌
2.
Determination of Lead and Cadmium in Vaseline by Atomic Absorption Spectrometry with Mixed Acids Digestion;
混合酸消解-原子吸收光谱法测定凡士林中铅和镉
3.
Relation Between the Measuring Error of Standard Additional Method of Atomic Absorption Spectrometry and the Absorptivity;
原子吸收光谱标准加入法测量误差与吸光度的关系
补充资料：固体中的光吸收
固体中的光吸收
light absorption in solids
固体中的光吸收ljghtabsorPtion in solids光在固体物质中传播时，物质吸收光能的现象。固体中的光吸收取决于固体中的自由电子或自由载流子和束缚电子及构成晶格的原子、离子、分子与光的相互作用。固体的光吸收引起光在固体中的色散。 光吸收的类型固体中的光吸收主要有3大类:①组成固体材料的原子中，原子内壳层k、l、m··一束缚内层电子吸收一光子而作带间跃迁，跃迁到导带(光子能量九田约为102~ 10leV)，以及束缚价电子吸收一光子而作带间跃迁，跃迁到导带(光子能量九田约为10，一10“一10一’eV);②组成固体材料的原子或离子的晶格振动(或量子化的晶格振动—声子)吸收一光子而跃迁到高晶格振动态(高声子态，光子能量约10~ZeV);③固体材料中的自由电子或自由载流子吸收一光子而作导带内的带间跃迁，跃迁到导带内的高态。此外，固体中所存在的各种激元，如等离子体激元、激子(即电子一空穴偶)、施主一受主偶、多声子、杂质、晶格缺陷、磁光、回旋共振、超导能隙等，也均能引起光吸收(光子能量约102、10一3eV)。 光吸收的洲定固体材料中的光吸收，实验所测定的大多数是吸收常数ao 1729年P.鲍格(Bouguer)依据实验得出吸收定律，1760年J.H.朗伯(Lamber)从一假设推导出相同的结果。得鲍格一朗伯定律___ldl沃，r，__~“一一万尸-石叮，月lx一10仑 IX之石几式中x为光在材料中的传播距离，10、Ix分别为材料中x二0和x二x处的光强。对固体能带理论，较a更有用的是复光学介电常数若的虚部自(三几却和复光学电导率分的实部al(三Re动。吸收常数a、复折射指数云(凡~n+ik，”为折射指数，k为消光系数)、复光学介电常数若(若一:1+i自)、复光学极化率龙(论一xl十i池)、复电导率分(分一伪十i处)之间的关系由麦克斯韦方程组和物质方程确定。 吸收光谁光吸收的特征具体反映在固体材料的吸收光谱上。各种材料的吸收光谱差异很大，一个假想的半导体吸收光谱见图1。 从图1中短波长(或高能量)一端出发，首先可看到在本征吸收区，对应于吸收了光子所引起的电子在能带间的跃迁。它的特征在于吸收系数甚高，达到l护~10戈m一‘的量级。在本征吸收区的低能一端，吸收系数急骤下降，呈现出吸收边，它的能量位置对应于带隙宽度，随材料的电子结构而异，通常的半导体处于近红外区，而能隙甚宽的绝缘体则处于紫外区。在吸收边附近有时可以观察到一些精细结构，与光子吸收有关。 随着波长增加，吸收系数又缓慢上升，这对应于自由载流子吸收，它可以筱盖整个红外波段和微波波段。其吸收系数的大小取决于载流子浓度。
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参考词条