1) aluminum nitride ceramic
氮化铝陶瓷
1.
The low temperature thermal conductivity of Aluminum nitride ceramic(A1N) was measured using axis steady heat flow method.
根据平均自由程理论 ,对影响氮化铝陶瓷热导率的微观因素进行了分析 ,影响本次测试氮化铝样品低温热导率的主要因素为声子与缺陷之间的散射。
3) AlN ceramic
氮化铝陶瓷
1.
Titanium metallized film on AlN ceramic surface was produced by molten salt disproportionalreactions.
利用熔盐热歧化反应在氮化铝陶瓷表面上成功地进行了钛金属化,成功地在氮化铝陶瓷表面上制备了钛金属化膜。
4) AIN Ceramic
氮化铝陶瓷
1.
Theoretic Analysis on Thermal Conductivity ofAIN Ceramic Substrate;
氮化铝陶瓷基片热导率的理论分析
6) AlN ceramic substrate
氮化铝陶瓷基片
1.
The technology of AlN ceramic substrate volume production is introduced in this paper.
文章主要介绍氮化铝陶瓷基片生产的关键技术。
补充资料：氮化铝陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：以氮化铝为主成分的陶瓷。属六方晶系。氮化铝在2450℃下升华分解，理论密度为3.26g/cm3。热压制品具有良好的物理化学性能：热膨胀系数低(4.2×10-6℃-1)，导热系数高[0.31J/(cm·s·℃)]，能耐20～2200℃的急冷急热，还具有耐熔融铝、砷化镓的侵蚀。在空气中于700℃开始氧化，介电常数为8.8，电阻率2×1011Ω·cm，是良好的电绝缘体。介质损耗角正切值4×10-4。电阻率大于1012Ω·cm。良好的耐热震性和电绝缘性。采用氮与铝元素直接合成法，铝的氧化物与石墨的通氮还原合成法，以及铝的卤化物与氮反应的热解法等制出氮化铝化合物。然后，加入少量添加剂，如氧化钇、氧化钙等，经高温通氮烧结或热压烧结制得。致密烧结制品是大规模集成电路基板和可控硅外壳的优质材料，能耐2200℃的急冷急热。也可用作高温耐腐蚀材料、高温高强度结构材料和电绝缘材料。高纯度的氮化铝坩埚和舟皿适合于熔制半导体物质，特别适用于熔制砷化镓、磷化镓等。另外，由于它的高热导率和与Si相匹配的热膨胀系数，可作高密度封装用基片。
CAS号：
性质：以氮化铝为主成分的陶瓷。属六方晶系。氮化铝在2450℃下升华分解，理论密度为3.26g/cm3。热压制品具有良好的物理化学性能：热膨胀系数低(4.2×10-6℃-1)，导热系数高[0.31J/(cm·s·℃)]，能耐20～2200℃的急冷急热，还具有耐熔融铝、砷化镓的侵蚀。在空气中于700℃开始氧化，介电常数为8.8，电阻率2×1011Ω·cm，是良好的电绝缘体。介质损耗角正切值4×10-4。电阻率大于1012Ω·cm。良好的耐热震性和电绝缘性。采用氮与铝元素直接合成法，铝的氧化物与石墨的通氮还原合成法，以及铝的卤化物与氮反应的热解法等制出氮化铝化合物。然后，加入少量添加剂，如氧化钇、氧化钙等，经高温通氮烧结或热压烧结制得。致密烧结制品是大规模集成电路基板和可控硅外壳的优质材料，能耐2200℃的急冷急热。也可用作高温耐腐蚀材料、高温高强度结构材料和电绝缘材料。高纯度的氮化铝坩埚和舟皿适合于熔制半导体物质，特别适用于熔制砷化镓、磷化镓等。另外，由于它的高热导率和与Si相匹配的热膨胀系数，可作高密度封装用基片。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条