1) far-infrared LED
远红外发光二极管
2) IR LED
红外发光二极管
1.
In order to measure the astigmatism and improve the performance,a new photorefractor is introduced which source is composed of the IR LED and with the changed aperture.
为了能够测量散光和提高测量性能,提出采用近红外发光二极管作为摄影验光仪光源并改进了光阑结构,引入由光源在视网膜上反射图像的照度斜率来判断屈光状态这一独特检测方法。
4) infrared emitting diode
红外发光二极管
1.
It contains a GaAlAs infrared emitting diode optically coupled to a Si-PIN photodiode.
设计了一种能够实现模拟信号高精度传输与高电压隔离的高压线性光电耦合器,它以GaAlAs红外发光二极管为发光器件,采用Si-PIN光电二极管为光敏元件。
5) near infrared LED
近红外发光二极管
6) GaAs IR LED
GaAs红外发光二极管
补充资料：发光二极管（lightemittingdiode）
发光二极管（lightemittingdiode）
用半导体材料制造的具有结型二极管结构的电致发光器件。目前广泛应用的发光二极管主要用Ⅲ-Ⅴ族二元或三元化合物制成。它主要利用pn结正向注入非平衡载流子的辐射复合而发光。除了pn结发光二极管，还有其他结构的，例如用不同禁带宽度的材料制成的异质结及双异质结结构，金属-半导体肖特基结构及金属-绝缘体-半导体（MIS）结构。Ⅱ-Ⅵ族化合物都是宽禁带直接带隙材料，是理想的发光二极管材料，但由于自补偿效应等原因，大部分不能制成两性导电的材料，因而尚无简单的方法获得pn结，这方面的研究还在继续。
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参考词条