1) Irradiation effect
辐照效应
1.
Two kinds of irradiation effects of photodevices;
硅光电器件两种辐照效应的比较
2.
The irradiation effect of scintillators is caused by the structure defects, such as oxygen v.
介绍了新型闪烁体辐照效应的研究进展。
2) radiation effect
辐照效应
1.
Gamma-ray radiation effect on Ni/4H-SiC SBD
Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应
2.
Radiation effects have been studied in the home-made modified 316L stainless steel and standard stainless steel and tungsten irradiated by 80 MeV 12C or 85 MeV 19F ions.
研究了80 MeV碳或85 MeV氟离子辐照在国产改进型316L不锈钢、普通不锈钢和钨中产生的辐照效应。
3.
The radiation effect induced by 85 MeV 19 F ion irradiation of 1.
用正电子湮没寿命技术研究了注量为 1 6× 10 16 cm- 2 的 85MeV 19F离子辐照InP产生的辐照效应。
3) Radiation effects
辐照效应
1.
Radiation effects of ultra-wide spectrum on radio fuze and its protection;
无线电引信的超宽谱辐照效应及其防护
2.
Radiation effects of protons on the bipolar operational amplifier;
双极运算放大器的质子辐照效应
3.
The system used in the experiment of single event burnout and single event gate rupture of power MOS transistors radiation effects has been developed.
研制了功率 MOS器件单粒子烧毁、单粒子栅穿辐照效应实验用的电流测量及电源系统 ,该系统由栅极电源电路、漏极电源电路、漏极 RC振荡电路和 DUT栅极触发电路组成 ,具有栅 (漏 )极电压偏置、电流测量、过流保护、电容电阻选择等功能 ,经实验验证 ,本系统工作性能稳定可
4) irradiation effects
辐照效应
1.
Irradiation effects and mechanism are described under various particles irradiation on high TC superconductor, some results on irradiation effects of high TC superconductor in recent years are introduced.
描述了高Tc超导体在各种粒子辐照下的辐照效应和机理,介绍了近些年来在高Tc超导体的辐照效应研究结果,并对该领域今后的研究方向作了阐述。
2.
The research targets and methods of irradiation effects of 6H-SiC materials and devices are introduced.
介绍了6H-SiC材料和器件辐照效应研究的目的和方法,并对国内外最近几年的研究情况进行了介绍、分析和总结。
3.
Study on irradiation effects of nucleus electromagnetic pulse on single chip computer system;
为研究它们对单片机系统的各种效应 ,利用 GTEM室产生的核电磁脉冲 ,对单片机系统进行了辐照效应实验。
5) Radiation
[英][,reɪdi'eɪʃn] [美]['redɪ'eʃən]
辐照效应
1.
The total dose,SEU,and dose rate radiation effect of asymmetric SOI MOSFET with shallow source are simulated.
研究了源区浅结的不对称SOIMOSFET对浮体效应的改善 ,模拟了总剂量、抗单粒子事件 (SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响 。
6) self-irradiation effect
自辐照效应
补充资料：辐照效应的计算机模拟
辐照效应的计算机模拟
computer simulation of irradiation effects
法的半经验法来迭代计算核材料的辐照效应。 分子动力学模拟设置一块具有一定体积的晶体，原子按某一点阵方式排列成一静态组合体。组合体内所含原子数目视起动碰撞序列的那个初始运动粒子的能量而定。当初始的运动粒子与邻近的原子发生碰撞时，这种原子间的相互作用迅速蔓延开来并激起一个完整的碰撞级联。级联期间，所涉及晶体内的所有原子的位置将受形式为M·dZ龙/dtZ二凡(龙，汤，……瓜)(l’=1，2，…”)运动方程所支配。只是由于近邻原子的排斥作用而施加在第i个原子上的力，其大小由第i个原子同它周围的每个原子的相互作用势之和确定。方程的数目正比于级联碰撞所涉及到的原子数。这种方法比较真实地描述了原子碰撞过程，可给出碰撞级联的体积，空位和填隙原子的复合，原子离位峰的退火以及最终稳定下来的点缺陷、缺陷团的形态和数量等。图1示意给出了40 eV的铜原子A在铜(1 00)面所引起的离位过程和原子运动轨迹。这个级联所涉及的小晶体内约含500/[001〕[011][010] 图1 4OeV的铜原子A在铜(100)面所引起的 离位过程和厚子运动轨迹个原子。当模拟较高能量的粒子时，所涉及的晶体体积和原子数目要大得多，因而，必须用大型计算机才能完成分子动力学模拟过程。 蒙特卡罗法模拟基于随机碰撞并跟踪载能粒子在固体内慢化的过程。在这种模拟中，将初始的运动粒子与固体内点阵原子的作用以及由此产生各个级次的运动原子与点阵原子间的作用简化为一系列的二体碰撞。模拟计算的精度在很大程度上取决于所选用的原子势函数。目前，国际上已有不少实验室从事这类模拟研究。尽管不同学者的计算模拟略有差别，所选原子势函数和电子阻止公式也有所不同，但都在每次碰撞中至少选取3个介于(O，1)间的均匀随机数分别确定核碰撞的散射角、方位角和运动原子在连续两次核散射间的自由飞程。跟踪记录下各级运动原子的最终停留位置，以给出缺陷的数量和分布。图2示意给出50 keV的氮(Xe)离子在金(Au)中的级联轨迹。在这种模拟计算中，通常┌─┐│份│└─┘ 图2 SOkeV的氮离子在金中的级联轨迹把固体中原子假想为随机排列的。相继输入并跟踪一定数目但具有同一能量的入射粒子，以便给出缺陷浓度和分布的统计结果。模拟计算程序可在一般的微机上进行计算。但如果将晶体的结构也考虑在内，则需在大型计算机上完成。(李文治)辐照效应的计算机模拟eomputer Simulation。
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参考词条