1) nonlinear absorption
非线性吸收
1.
Progress in the optical limiting materials for nonlinear absorption;
非线性吸收激光光限幅材料研究进展
2.
Study on thermal optical limiting induced by linear and nonlinear absorption;
线性及非线性吸收热致光学限幅效应的讨论
3.
The nonlinear absorption properties of two metallic clusters were studied using 8 ns laser pulses at 532 nm.
应用波长532 nm,脉冲宽度8 ns的激光研究了两种金属团簇的非线性吸收性能。
2) absorption nonlinearity
吸收非线性
1.
A concept about a new kind of nitegral photonic "transistor", using saturation absorption nonlinearity of the wead saturation optical intensity parameter of photochromic material, is put forward in this peper.
利用光色材料的弱饱和光强参数的吸收非线性，创新地提出了积分型“光子晶体管”的研究构想，系统地构造了系列并行运行吸收非线性光子学器件模型，对其性能进行了基础性的详细论证与分析，对其可能应用也给予了简要讨论。
3) Photocyc
非线性吸收特性
4) nonlinear absorption parameter
非线性吸收参数
1.
Based on the theoretical expression,the influence of optical physics parameters on the optical limiting effect,such as nonlinear absorption parameter,linear transmissivity and effective excited-state absorption cross-section,were investigated with the experimental data obtained at the wavelength of 532 nm and in the pulse width of 40 ps by means of coordination polymer[Cd(L_4)(SO_4)(H_2O)_2]n.
并以表达式为理论依据,利用配位聚合物[Cd(L 4)(SO4)(H2O)2]n在波长532 nm、脉冲宽度为40 ps的条件下所获得的实验数据,分析研究非线性吸收参数、线性透过率和有效激发态吸收截面等物理参数对光限幅效应的影响。
5) nonlinear absorption coefficient
非线性吸收系数
1.
By means of Z-scan, this paper supplies a description of the sensitive single_beam technique for measuring both the nonlinear refractive index and nonlinear absorption coefficient for the nonlinear materials.
用Z -扫描技术描述了利用单光束灵敏的测量非线性介质的非线性折射率和非线性吸收系数的方法 ,并给出实验测量结果 。
6) Large nonlinear absorption
大非线性吸收
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条