1) complex groove
复杂槽型
1.
Aiming at the problem of groove optimization of milling insert with 3D complex groove, the experiments about milling force and milling temperature and the finite element analysis have been done.
针对三维复杂槽型铣刀片槽型优化问题,进行了铣削温度和铣削力试验及其有限元分析,以铣刀片耦合场最优为优化目标,建立了槽型参数多目标优化数学模型,利用遗传算法求解了固定切削参数和给定约束下的优化槽型参数。
2.
Based on the study of the influence of insert’s groove configuration on chip-restricting, the predicting models for chip-restricting and chip-breaking are established, the method of forecasting chip-curling and chip-breaking is brought forward, and the experiments of chip-restricting and chip-breaking for turning inserts with three-dimensional complex groove are fulfilled.
在刀片槽型结构对切屑约束的影响研究基础上,建立了复杂槽型车刀片切屑约束与折断预报模型,提出了基于切屑约束的复杂槽型车刀片切屑卷曲与折断预报方法,并进行了三维复杂槽型车刀片切屑约束与折断的试验研究。
3.
Aiming at the structural characteristic of complex groove, by studying the chip restriction action of geometrical element which is composed of complex groove, the equation of chip restriction action point and the prediction formula of chip - curl directional angle are deduced and the prediction model of complex groove chip up -curl radius and side -curl radius are destablished.
针对复杂槽型的结构特点,通过对复杂槽型几何元素切屑约束作用的研究,推导出了 切屑约束作用点方程及切屑卷曲方向角预报公式,建立了复杂槽型切屑上向卷曲半径和横向卷曲 半径的预报模型,该模型为今后进行切屑折断预报和复杂槽型的设计与优选提供了理论指导。
2) 3D complex groove
三维复杂槽型
1.
Design on 3D complex groove of turning inserts with ATLAB
基于MATLAB的车刀片三维复杂槽型设计
2.
The finite element model of milling insert based on ANSYS is established and the boundary conditions are confirmed by analyzing the temperature field of 3D complex groove.
对三维复杂槽型温度场做了分析,建立了基于ANSYS的铣刀片有限元模型,确定了边界条件。
3.
This paper mainly analyzes the influence of milling insert temperature field on sticking failure,and also analyzes other factors influencing sticking failure of 3D complex groove,including stress field,cutting parame- ters,cutting speed,cutting tool's geometry parameters etc.
本文重点分析了铣刀片温度场对粘结破损的影响,同时研究了应力场、切削参数、切削速度、刀片几何参数等因素对三维槽型铣刀片粘结破损的影响,为进一步建立铣刀片抗粘结破损性能的评判原则以及三维复杂槽型刀片的槽型优化提供重要的理论依据。
3) complex three-dimension groove
三维复杂槽型
1.
Analysis on the physics fields for the complex three-dimension groove milling inserts;
三维复杂槽型铣刀片物理场分析
2.
It studies on force density function of complex three-dimension grooves milling insert with the waved-edge milling insert developed by the Harbin University of Science and Technology.
以哈尔滨理工大学开发的波形刃(前刀面为波形曲面)铣刀片为例,进行三维复杂槽型铣刀片前刀面受力密度函数的研究。
4) complicated groove
复杂断屑槽型
1.
Analysis of effect of complicated groove inserts on chip section profile
复杂断屑槽型对切屑截面影响分析
5) groove with complicated surface
复杂腔槽
6) Complex Grove
复杂槽形
1.
Design and Test of Grinding Machine Tool for Plane Complex Grove
平面复杂槽形磨削机床的设计与试验
补充资料：V型槽金属-氧化物-半导体集成电路
在硅片表面上刻蚀出V型凹槽,并利用双扩散或外延生长等工艺在槽内制作的MOS集成电路，称为 VMOS电路。
基本原理 有些化学试剂对硅单晶的不同晶面有不同的腐蚀速率,即各向异性的腐蚀特性。使用某些专门的腐蚀液,如N2H4和H2O各占50％的溶液、18克分子浓度的KOH等，对硅的腐蚀速率为[100]＞[110]＞[111],[100]晶面的腐蚀速率几乎是[111]晶面的100倍。使用SiO2作为腐蚀掩模,可以在[100]晶面的硅片上腐蚀出由四个会聚的[111]晶面组成的孔,形状如同倒置的金字塔。腐蚀深度与氧化层开口宽度之比为 0.707，每一个腐蚀出的[111]面与硅片表面成54.74°角。使用另外的腐蚀液，对不同电阻率的硅有不同腐蚀速率，可使腐蚀前沿成为截顶的倒置金字塔形的腐蚀坑。前者腐蚀坑的剖面为 V形槽，后者则为U形槽。
结构 经过外延生长、双扩散或离子注入等工艺加工的硅片,经过腐蚀可制成VMOS或UMOS场效应晶体管,其结构如下图。N+硅衬底上的N-层是靠外延生长得到的。P型层和N+层用双扩散法或离子注入法获得。其他栅极和氧化层的制做与常规MOS工艺相同。这种MOS晶体管的沟道是口字形,位于P型区的倾斜表面上。V型（或U型）槽有一定倾角，所以沟道长度约为P型层厚度的1.5倍。在沟道与漏之间设置N-外延层，是为了增加击穿电压并减少输出电容。
应用和发展 VMOS电路的优点是利用立体结构提高集成密度，获得自对准（由扩散层深度而不是由光刻分辨率决定）的短沟道结构，可用于高密度大规模集成电路。它能与E/D NMOS或 DMOS电路（见双扩散金属-氧化物-半导体集成电路）技术兼容。但是,这种工艺比较复杂，[111]晶面沟道的电子迁移率低,除少数高密度的只读存储器产品外，对其他产品尚未推广应用。另一方面，VMOS晶体管由于沟道短，宽长比可以做得很大，没有二次击穿效应，而且可用于多数载流子器件的抗辐射方面，在作为高频大功率有源器件方面有重要进展。设计的主要问题是既要有低的导通电阻，又要有高的击穿电压。对于VMOS结构高频功率管，通过选择合适的外延层（电阻率和厚度）、采用多 V型槽并联、加离子注入保护环和台面结构等方法可以解决这一问题。采用UMOS结构可使槽底平坦，减少电场集中效应，能提高击穿电压。同时，在栅极加正电压时，栅漏覆盖区变为累积层，也有利于扩展电阻的减小。击穿电压高达几百伏的VMOS晶体管已经研制成功。
基本原理 有些化学试剂对硅单晶的不同晶面有不同的腐蚀速率,即各向异性的腐蚀特性。使用某些专门的腐蚀液,如N2H4和H2O各占50％的溶液、18克分子浓度的KOH等，对硅的腐蚀速率为[100]＞[110]＞[111],[100]晶面的腐蚀速率几乎是[111]晶面的100倍。使用SiO2作为腐蚀掩模,可以在[100]晶面的硅片上腐蚀出由四个会聚的[111]晶面组成的孔,形状如同倒置的金字塔。腐蚀深度与氧化层开口宽度之比为 0.707，每一个腐蚀出的[111]面与硅片表面成54.74°角。使用另外的腐蚀液，对不同电阻率的硅有不同腐蚀速率，可使腐蚀前沿成为截顶的倒置金字塔形的腐蚀坑。前者腐蚀坑的剖面为 V形槽，后者则为U形槽。
结构 经过外延生长、双扩散或离子注入等工艺加工的硅片,经过腐蚀可制成VMOS或UMOS场效应晶体管,其结构如下图。N+硅衬底上的N-层是靠外延生长得到的。P型层和N+层用双扩散法或离子注入法获得。其他栅极和氧化层的制做与常规MOS工艺相同。这种MOS晶体管的沟道是口字形,位于P型区的倾斜表面上。V型（或U型）槽有一定倾角，所以沟道长度约为P型层厚度的1.5倍。在沟道与漏之间设置N-外延层，是为了增加击穿电压并减少输出电容。
应用和发展 VMOS电路的优点是利用立体结构提高集成密度，获得自对准（由扩散层深度而不是由光刻分辨率决定）的短沟道结构，可用于高密度大规模集成电路。它能与E/D NMOS或 DMOS电路（见双扩散金属-氧化物-半导体集成电路）技术兼容。但是,这种工艺比较复杂，[111]晶面沟道的电子迁移率低,除少数高密度的只读存储器产品外，对其他产品尚未推广应用。另一方面，VMOS晶体管由于沟道短，宽长比可以做得很大，没有二次击穿效应，而且可用于多数载流子器件的抗辐射方面，在作为高频大功率有源器件方面有重要进展。设计的主要问题是既要有低的导通电阻，又要有高的击穿电压。对于VMOS结构高频功率管，通过选择合适的外延层（电阻率和厚度）、采用多 V型槽并联、加离子注入保护环和台面结构等方法可以解决这一问题。采用UMOS结构可使槽底平坦，减少电场集中效应，能提高击穿电压。同时，在栅极加正电压时，栅漏覆盖区变为累积层，也有利于扩展电阻的减小。击穿电压高达几百伏的VMOS晶体管已经研制成功。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条