1) bismuth-film electrode
铋膜电极
1.
Determination of lead in sodium benzoate using bismuth-film electrode by differential pulse stripping voltammetry;
铋膜电极差分脉冲溶出伏安法测定苯甲酸钠中的铅
2.
Determination of sudanⅠusing bismuth-film electrode by voltammetry;
铋膜电极伏安法测定苏丹红Ⅰ号
3.
Determination of Zinc in Cocklebur by Stripping Voltammetry with Bismuth-Film Electrode
铋膜电极溶出伏安法测定苍耳子中锌的含量
2) bismuth-film electrodes
铋膜电极
1.
Fast determination of trace lead in water by differential potential stripping analysis of bismuth-film electrodes combining with microwave enrichment;
微波富集-铋膜电极微分电位溶出法快速测定水中痕量铅
2.
Determination of lead in medicine using bismuth-film electrodes by differential potentiometric stripping analysis
铋膜电极微分电位溶出法测定药物中微量铅
3) bismuth film electrode
铋膜电极
1.
Determination of trace heavy metal based on a new type of bismuth film electrode;
新型铋膜电极溶出伏安法测定痕量重金属元素
4) Bismuth electrode
铋电极
5) Bi-system thin films
铋系铁电薄膜
6) bismuth cesium photo cathode
铋-铯光电阴极
补充资料：汞膜电极
分子式：
CAS号：
性质：是在某种导电的基体上涂敷一层薄汞膜制成的电极。作为基体的材料，应具备电化学惰性、对汞有良好的化学稳定性及导电性能良好等特点。常用的基体材料为玻碳。玻碳汞膜电极的制造：可将玻碳薄片在稀汞盐溶液中，电解镀上一层汞膜；也可在试液中加入少量汞盐，如Hg(NO3)2，在电解富集过程中，与被测物同时在玻碳上析出，形成汞膜和汞齐。后一种方法称为同位镀汞。汞膜的厚度可由溶液中汞盐浓度和电解时间来控制。汞膜电极既具有汞电极的特性，又具有较高的面积/体积比率。由于汞膜薄，电极面积大，搅拌速度可加快，因而电沉积效率高。汞膜电极溶出峰高而尖，分辨能力强。它的缺点是重现性较差；膜薄易使溶解的金属达到过饱和，形成金属间化合物，产生相互干扰；易受支持电解质组分的影响等。
CAS号：
性质：是在某种导电的基体上涂敷一层薄汞膜制成的电极。作为基体的材料，应具备电化学惰性、对汞有良好的化学稳定性及导电性能良好等特点。常用的基体材料为玻碳。玻碳汞膜电极的制造：可将玻碳薄片在稀汞盐溶液中，电解镀上一层汞膜；也可在试液中加入少量汞盐，如Hg(NO3)2，在电解富集过程中，与被测物同时在玻碳上析出，形成汞膜和汞齐。后一种方法称为同位镀汞。汞膜的厚度可由溶液中汞盐浓度和电解时间来控制。汞膜电极既具有汞电极的特性，又具有较高的面积/体积比率。由于汞膜薄，电极面积大，搅拌速度可加快，因而电沉积效率高。汞膜电极溶出峰高而尖，分辨能力强。它的缺点是重现性较差；膜薄易使溶解的金属达到过饱和，形成金属间化合物，产生相互干扰；易受支持电解质组分的影响等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条