1) AZO thin film
AZO薄膜
1.
Study on AZO thin films annealed in vacuum;
真空退火法对AZO薄膜的研究
2.
The multiform preparation technologies and applications developments on AZO thin film are described.
详细介绍了磁控溅射、溶胶-凝胶、脉冲激光沉积、真空蒸镀、化学气相沉积等工艺在AZO薄膜制备中的研究现状,并且在对AZO膜与ITO膜性能比较的基础上,指出AZO薄膜的产业化前景好。
3.
Due to both high carrier concentration and large optical band gap,AZO thin film has excellent electrical and optical properties, and is regarded as a potential transparent conductive thin film.
本文介绍了AZO透明导电薄膜的晶体结构和光电特性,综述了国内外对AZO薄膜所开展的研究工作,并简要地介绍了AZO薄膜的实际应用。
2) AZO thin films
AZO薄膜
1.
Influence of Al concentration on the structural,optical and electrical properties of AZO thin films;
Al浓度对AZO薄膜结构和光电性能的影响
2.
Anneal technique and the process of AZO thin films prepared by middle-frequency alternative magnetron sputtering;
中频交流磁控溅射制备AZO薄膜及退火工艺
3.
An optimum study of technological parameters for the preparation of AZO thin films by sol-gel is carried out through orthogonal design.
采用正交设计法,对溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的工艺参数进行了优化研究;确定了最佳工艺参数,为制备AZO薄膜的工业化控制提供了一种可行的方法。
3) AZO film
AZO薄膜
1.
Pulsed laser deposition of AZO film and the optical properties;
脉冲激光沉积AZO薄膜及其光学性质研究
2.
A new method of pulsed laser deposition of the AZO film in O_2 atmosphere using double targets of Zn and Al is introduced.
介绍了利用锌靶和铝靶在氧气气氛中进行掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜的脉冲激光沉积(PLD)新方法,并与利用ZnO陶瓷靶沉积AZO薄膜的方法进行了对比,分析了此方法的优势和特点。
3.
AZO films of 180nm with an electrical resistivity as low as 2.
2Pa时),180nmAZO薄膜的电阻率为2。
4) AZO films
AZO薄膜
1.
Decrease the resistivity of AZO films, work out stable and reproducible films are demanding solved.
目前,降低AZO薄膜的电阻率,摸索出可重复性好,质量稳定的制备方法和工艺成为亟待解决的问题。
2.
In this paper,the structure,electric mechanism, photoelectric properties,typical preparation techniques and recent progress of AZO films are mainly described.
本文主要介绍了AZO薄膜的晶体结构、导电机理、光电性能、典型制备技术和应用现状,并对其研究前景进行了展望。
3.
The microstructures and electric properties of the AZO films were characterized with atomic force microscopy(AFM)and conventional probes.
采用四探针测量仪测试AZO薄膜的方块电阻,用原子力显微镜(AFM)分析薄膜微结构;通过正交分析法对实验L9(33)AZO薄膜的性能指标进行分析。
5) AZO dye films
AZO染料薄膜
6) thin film
薄膜
1.
Effects of annealing temperature on microstructure and cohesion of ZrW_2O_8 thin films;
退火温度对ZrW_2O_8薄膜结构和结合力的影响
2.
Fabrication and low temperature sintering of GDC thin film;
氧化钆掺杂纳米氧化铈薄膜的制备与烧结性能研究
3.
Fabrication of CuS nano/micro tube thin films and CuO nano/micro crystal thin films using CuCl nanorod films as precursor;
以CuCl纳米棒薄膜为前驱体制备CuS纳米/微米管和CuO纳米/微米晶薄膜
补充资料：3-(Diethylamino)-7-[[4-(dimethylamino)phenyl]azo]-5-phenylphenazinium chloride
分子式：C30H31ClN6
分子量：511.07
CAS号：2869-83-2
性质：棕色呈深棕色结晶性粉末。溶于水呈蓝色，微溶于醇。
制备方法：由N，N-二乙基酚藏红色经重氮化后与N，N-二甲基苯胺偶合而得。
用途：用于线粒体活体染色，真菌和原虫染色，胚胎切片染色，以及用作氧化还原指示剂和铜的电镀添加剂。
分子量：511.07
CAS号：2869-83-2
性质：棕色呈深棕色结晶性粉末。溶于水呈蓝色，微溶于醇。
制备方法：由N，N-二乙基酚藏红色经重氮化后与N，N-二甲基苯胺偶合而得。
用途：用于线粒体活体染色，真菌和原虫染色，胚胎切片染色，以及用作氧化还原指示剂和铜的电镀添加剂。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条