1) TaN monolithic coating
TaN单层膜
1.
Two kinds of TaN monolithic coatings with TaN and Ta as sputtering targets on monocrystal Si chip were prepared by using FJL560CI2 ultra-high vacuum radio freqency magnetron sputtering chamber.
结果表明,TaN靶材制备的TaN单层膜的纳米硬度值普遍高于Ta靶材的;当工作气压为0。
2) TaN/NbN multilayered coatings
TaN/NbN多层膜
1.
This paper reported the deposition of TaN/NbN multilayered coatings with nanoscale bilayer period using FJL560CI2 ultra-high vacuum radio freqency magnetron sputter chamber.
5 nm时,TaN/NbN多层膜达到最大硬度30 GPa,结晶出现多元化,多层膜体系的硬度、应力、弹性模量以及膜-基结合性能均达到最佳效果。
3) TaN/VN bilayer film
TaN/VN多层膜
4) TiN/TaN multiplayer
TiN/TaN多层膜
5) TaN barrier layer
TaN阻挡层薄膜
6) NbN/TaN nano-multilayer films
NbN/TaN纳米多层膜
1.
The polycrystalline NbN/TaN nano-multilayer films were grown on the substrates of stainless steel by reactive magnetron sputtering.
用磁控反应溅射的方法在不锈钢基片上制备了NbN／TaN纳米多层薄膜，试验采用X射线衍射仪（XRD）、透射电子显微镜（TEM）及显微硬度仪对薄膜的微结构和硬度进行分析，结果表明：在NbN／TaN多层膜中，NbN层为面心晶体结构，TaN层为六方晶体结构；NbN／TaN纳米多层膜存在超硬效应，在调制周期2。
补充资料：tantalum nitride TaN
分子式：
CAS号：
性质： 暗灰色粉末。六方晶结构，晶格常数α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔点3090℃，电阻率(180±10) μΩ·cm。显微硬度(106±75)MPa，超导转变温度1.2K。耐酸性能好，不溶于硝酸、盐酸和氟氢酸，易被硫酸和硝酸和过氧化氢混合液氧化。易和碳化钽生成类质同晶混合物，和氮化铪、碳化铪互溶。在1400℃以上真空中加热易分解。与氢氧化钾作用分解放出氨。由五氯化钽和氨气反应或700～1000℃下使钽粉和氮气反应生成。冶金中利用氮化钽分解制取高纯钽粉。利用其电阻温度小的特点制造电阻薄膜器件。
CAS号：
性质： 暗灰色粉末。六方晶结构，晶格常数α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔点3090℃，电阻率(180±10) μΩ·cm。显微硬度(106±75)MPa，超导转变温度1.2K。耐酸性能好，不溶于硝酸、盐酸和氟氢酸，易被硫酸和硝酸和过氧化氢混合液氧化。易和碳化钽生成类质同晶混合物，和氮化铪、碳化铪互溶。在1400℃以上真空中加热易分解。与氢氧化钾作用分解放出氨。由五氯化钽和氨气反应或700～1000℃下使钽粉和氮气反应生成。冶金中利用氮化钽分解制取高纯钽粉。利用其电阻温度小的特点制造电阻薄膜器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条