1) BGO crystal
BGO晶体
1.
The feasibility study of application of BGO crystal to densimeter;
BGO晶体在密度计中应用的可行性研究
2.
The High temperature Raman spectra of BGO crystal and melt were studied.
研究了BGO晶体在不同温度下(在300—1323K的温度范围)的拉曼光谱及其熔体的高温拉曼光谱,分析了BGO晶体结构随温度变化的规律及BGO熔体的结构特征。
3.
The high-temperature Raman spectra of the growth solid-liquid boundary layer of BGO crystal were studied.
研究了BGO晶体固/液边界层及其两侧晶体和熔体的高温拉曼光谱,分析了BGO晶体生长固/液边界层以及边界层两侧晶体和熔体的结构特征。
2) BGO detector
BGO探头
1.
A BGO detector for the continuous casting process liquid location measure of the steel plant is made up of a D 25×25 BGO crystal, a CR110 photoelectric multiplier and an electronic circuit inside it.
为钢厂连铸液位监测研制了一种 BGO探头 ,它由一个 D2 5× 2 5 BGO晶体、一支 CR1 1 0光电倍增管和在探头内的电子线路构成。
3) BGO detector
BGO探测器
1.
The vacuum and heat preserving apparatus of BGO detector using steam compressing are introduced, and temperature effect on energy resolution of BGO detector are discussed.
采用蒸汽压缩式制冷方法制作了BGO探测器真空保温系统,并探讨了温度对BGO探测器能量分辨率的影响。
2.
A 4 inch NaI(Tl) detector is used to detect the radiative capture γ , and a 2 inch BGO detector is used to detect the inelastic γ from inspected materials.
835MeV时表现出了很好的性能,而BGO探测器则在测量12C和16O的快中子非弹性散射γ时得到了较好的结果。
4) application of BGO
BGO的应用
6) Crystal sturcture
晶体结晶
补充资料:晶体管-晶体管逻辑电路
晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路(DTL)中的二极管,改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功,基本门电路的结构和元件参数,经历了3次大的改进。同DTL电路相比,TTL电路速度显著提高,功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品,就使开关速度比DTL电路提高5~10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路,开关时间可缩短到3~5纳秒。绝大部分双极型集成电路,都是TTL电路产品。 |
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参考词条