1) InP/InGaAsP
InP/InGaAsP
1.
Inductively coupled plasma etching of two-dimensional InP/InGaAsP-based photonic crystal;
感应耦合等离子体刻蚀InP/InGaAsP二维光子晶体结构的研究
2.
Experimental research on dispersion characteristics of strip InP/InGaAsP-MQW-EAM;
条形InP/InGaAsP-EAM的色散特性实验研究
3.
Study of Polarization Dependent Loss on Performances of InP/InGaAsP-EAM Based on M-Z Interferometer;
应力对M-Z型InP/InGaAsP-EAM偏振相关损耗的影响
2) InP/InGaAsP Multiple Quantum Well
InP/InGaAsP多量子阱
补充资料：indium phosphide InP
分子式： InP
CAS号：
性质：沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。介电常数10.8。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料，用于光纤通信技术。
CAS号：
性质：沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。介电常数10.8。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料，用于光纤通信技术。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。