1) lattice materials
点阵材料
1.
To get lattice materials with higher loading capacity than honeycombs and foams but much lighter,unit lattice cell structures were studied.
为了制备新型轻质高强材料,研究了满足拉伸主导型设计和临界细长比限制的点阵材料构形特征。
2) three-dimensional lattice materials
三维点阵材料
3) array material
阵列材料
1.
The atmospheric MOCVD method was introduced to prepare array materials of oxides by the example of preparing array material of ZnO nanorods.
介绍了一种新型的大气开放式金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)系统的结构及其新特点 ;以ZnO纳米棒阵列材料的制备为例 ,说明了大气开放式MOCVD法制备氧化物阵列材料的方法 ,并对氧化物阵列材料的制备过程进行了论述 ;扫描电镜研究发现这些取向生长的氧化物一维材料均垂直于基片沿某一方向生长 ,并且排列非常规整 ,具有无晶界、晶体缺陷少、体表面积小和具有特殊的尖端等特点 ;介绍了制备VOx,FeOx,TiO2 等一元金属氧化物和ZnAlO ,ZnMgO等多元掺杂金属氧化物的一维阵列材料的方
2.
The oxidation process of the VFD array material Fe Ni42Cr6 alloy in wet hydrogen at high temperature has been researched,and the analyses show that, the Cr2O3 film forms on the alloy surface finst, and then (Fe,Mn)Cr2O4 oxide initiates and grows.
研究了真空荧光显示屏阵列材料FeNi42Cr6合金在高温湿氢气氛中的氧化行为,其氧化过程为:首先形成Cr2O3,然后(Fe,Mn)Cr2O4氧化物形核、生长,形成完整氧化膜,成熟氧化膜由颗粒状刚玉型氧化物Cr2O3和块状尖晶石型(Fe,Mn)Cr2O4氧化物组成。
4) contact materials
触点材料
1.
And factors affecting electric erosion,such as circuit parameters,mechanical parameters,contact materials working surroundings,etc.
叙述了触点的分合过程,说明了熔桥产生和电弧引燃的原因;介绍了直流条件下触点材料的转移机理,包括熔桥转移和极性转移;还介绍了影响电侵蚀的多种因素,例如:电气参数、机械参数、触点材料、环境因素等。
2.
According to the present study of contact materials and the existing problems in these fields, we put forward a new notion to work on those materials and turn out a kind of Ag_based conductive ceramic contact materials to meet the application demands in low_voltage transformer industry.
针对目前触点材料领域的现状和存在的问题及低压电器对触点材料的应用要求 ,提出了一种研究触点材料的新思路 ,制成了银基导电陶瓷触点材料。
3.
Investigated is the effect of industrial environment on surface corrosion and electrical behaviors of several contact materials (gold, nickel and tin plating).
针对常用连接器触点材料(镀金、镀镍、镀锡),研究工业环境对其表面的腐蚀性及对触点微动电特性的影响。
5) igniting materials
点爆材料
补充资料：点阵平面指数和点阵方向指数
在金属学问题中，往往需要涉及点阵中某个晶面和晶向。晶体的晶面和晶向，可用密勒指数（Miller in-dices)的规定符号来表示。取平行于晶胞边棱的三个轴x,y，z，每根轴分为长度与晶胞边长(a,b,c)相等的等分，沿各轴的距离就用这些边长的倍数来表示。当标志一个晶面时，先确定此平面在三根轴上的截距，然后取截距的倒数并通分，即化为同分母的分数。截距的倒数便成为 h/n，k/n，l/n 的形式，这里 h，k，l是整数，n是公分母,把整数h，k，l括入一个圆括号内,就得到了晶面的密勒指数（h k l），简称晶面指数。图1所示晶面在x，y，z三根轴的截距相应为2，3，1，OP＝2,OQ＝3,OR＝1,倒数各为1/2,1/3，1，公分母为6，因此截距的倒数可写为3/6,2/6,6/6。(3 2 6)即用来表示这个晶面。由此得出的这些指数只说明关于晶面的几何关系，而对原子在晶面上的分布或类型并未涉及。另一方面，一组密勒指数,例如(3 2 6)，不仅描述一个晶面，而且描述所有与之平行的晶面。例如截距为4、6和2的平面必定和图1所示平面平行，并可证明其密勒指数也是(3 2 6)。
图2示出立方晶系的一些重要晶面。其中指数为 0表示平行于某一晶轴的晶面，与该轴相交于无限远;而一个晶面与晶轴交于负向时,则在指数上方画一短横线表示。对于晶体学相同而只是取向不同的一族晶面，用另一种括号,如｛100｝表示所有的立方体面,包括(100),(ī00),(010)，(0ī0)，(001)和(00ī)各晶面。
点阵的晶向用方括号表示。标定时，先通过原点沿此方向作一直线，然后根据晶胞边长确定此直线上一点的坐标,如x＝a,y＝-2b，z=c/3。晶向指数就是和这些坐标成正比的最小整数〔3宮1〕。在立方晶系中晶向总是和具有相同指数的晶面相垂直，如〔111〕垂直于(111)，等同的晶向族，如〔100〕,〔010〕,〔001〕,〔ī00〕，〔0ī0〕和〔00ī〕用<100>表示。
六方晶系中除密勒指数外,往往使用另一种密勒-布喇菲法。六方对称性要求四个坐标轴（图3），三根轴x、y、u在底面上,并沿密排方向互呈120°夹角，第四根轴则垂直于底面。箭头指向为轴的正方向,按x、y、u、z 顺序测出晶面在这四个轴上的截距,可定出其密勒-布喇菲指数为（hkil）,而且i＝-(h+k),或h+k+i＝0。图4示出六方晶系的一些重要晶面。容易证明,(10ī0)面就是密勒指数表示的(100)面。六方晶系的晶向同样可用三指数密勒系(图4)或四指数密勒-布喇菲系表示。
图2示出立方晶系的一些重要晶面。其中指数为 0表示平行于某一晶轴的晶面，与该轴相交于无限远;而一个晶面与晶轴交于负向时,则在指数上方画一短横线表示。对于晶体学相同而只是取向不同的一族晶面，用另一种括号,如｛100｝表示所有的立方体面,包括(100),(ī00),(010)，(0ī0)，(001)和(00ī)各晶面。
点阵的晶向用方括号表示。标定时，先通过原点沿此方向作一直线，然后根据晶胞边长确定此直线上一点的坐标,如x＝a,y＝-2b，z=c/3。晶向指数就是和这些坐标成正比的最小整数〔3宮1〕。在立方晶系中晶向总是和具有相同指数的晶面相垂直，如〔111〕垂直于(111)，等同的晶向族，如〔100〕,〔010〕,〔001〕,〔ī00〕，〔0ī0〕和〔00ī〕用<100>表示。
六方晶系中除密勒指数外,往往使用另一种密勒-布喇菲法。六方对称性要求四个坐标轴（图3），三根轴x、y、u在底面上,并沿密排方向互呈120°夹角，第四根轴则垂直于底面。箭头指向为轴的正方向,按x、y、u、z 顺序测出晶面在这四个轴上的截距,可定出其密勒-布喇菲指数为（hkil）,而且i＝-(h+k),或h+k+i＝0。图4示出六方晶系的一些重要晶面。容易证明,(10ī0)面就是密勒指数表示的(100)面。六方晶系的晶向同样可用三指数密勒系(图4)或四指数密勒-布喇菲系表示。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条