1) cadmium gadolinium tungstate crystal
钨酸钆镉晶体
2) gadolinium cadmium tungstate single crystal
钨酸钆镉单晶
3) CdWO4
钨酸镉晶体
4) sodium gadolinium tungstate crystal
钨酸钆钠晶体
5) potassium gadolinium tungstate crystal
钨酸钆钾晶体
6) KGd(WO_4)_2 laser crystal
钨酸钾钆晶体
1.
KGd(WO_4)_2 laser crystal is a new laser substance material develop upon CaWO_4 crystal.
本文讨论了掺Nd~(3+)和Yb~(3+)两种稀土离子的钨酸钾钆晶体的光谱性能。
补充资料：二砷化硅镉晶体
分子式：CdSiAs2
CAS号：
性质：周期表第II，IV，V族元素化合物半导体、共价键结合，有一定离子键成分，正方晶系黄铜矿结构。为复式品格，直接带隙半导体。室温禁带宽度1.55eV。空穴迁移率(3～5)×10-2m2/(V·s)。熔点1850℃。在锡和砷化镉溶液中制备。
CAS号：
性质：周期表第II，IV，V族元素化合物半导体、共价键结合，有一定离子键成分，正方晶系黄铜矿结构。为复式品格，直接带隙半导体。室温禁带宽度1.55eV。空穴迁移率(3～5)×10-2m2/(V·s)。熔点1850℃。在锡和砷化镉溶液中制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条