1) high-purity tungsten
高纯钨
2) high pure tungsten
高纯钨
1.
99%) were prepared by chemical vapor deposition (CVD), then high pure tungsten and polycrystalline tungsten prepared by powder metallurgy (PM) process were impacted using Split Hopkinson Bar (SHB) over a narrow range of strain rates, 1000 s-1~2000 s-1.
采用较低温度下的化学气相沉积技术制备了高纯钨,利用分离式HOPKINSON压杆装置对制备的高纯钨和商用粉末烧结纯钨进行应变率为1000/s~2000/s的冲击加载,对冲击后的样品进行了变形机制对比分析。
3) tungsten-powder
高纯钨粉
4) high-purity
高纯
1.
Review of preparation and analysis of high-purity LiF;
高纯氟化锂的制备与分析方法评述
2.
A new process of high-purity iron oxide red for soft magnetic ferrite use;
软磁铁氧体用高纯氧化铁红制备新工艺
3.
Preparation of high-purity nanosized magnesium hydroxide;
高纯纳米氢氧化镁制备工艺
5) high purity
高纯
1.
Preparation of high purity of AZ31B wrought magnesium alloy billets with large size;
大规格AZ31B变形镁合金坯料的高纯净化制备
2.
Preparation of high purity magnesium fluoride in powder form;
粉末状高纯氟化镁的研制
3.
Preparation of nano ferric oxide with high purity;
高纯纳米氧化铁红的制备
6) High pure
高纯
1.
Reactor of manufacturing high pure zirconium dioxide by direct calcination;
直接煅烧法制取高纯氧化锆的反应器
参考词条
补充资料：高纯钨
分子式：
CAS号：
性质：纯度达到99.999％和99.9999％，记为5N和6N的纯钨。它的各种杂质元素含量应在(0.1～1000)×10-12之间，对于某些杂质元素的含量，如放射性元素、碱金属元素、重金属元素和气体元素等还分别有特殊的要求。高纯钨及其硅化物用于超大规模集成电路作为电阻层、扩散阻挡层等以及在金属氧化物半导体型晶体管中作为门材料及连接材料等。
CAS号：
性质：纯度达到99.999％和99.9999％，记为5N和6N的纯钨。它的各种杂质元素含量应在(0.1～1000)×10-12之间，对于某些杂质元素的含量，如放射性元素、碱金属元素、重金属元素和气体元素等还分别有特殊的要求。高纯钨及其硅化物用于超大规模集成电路作为电阻层、扩散阻挡层等以及在金属氧化物半导体型晶体管中作为门材料及连接材料等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。