1) flow control device
控流装置
1.
Numerical simulation of optimization of flow control devices in four-strand T type tundish;
四流T型中间包控流装置优化的数值模拟
2.
By means of this model,theoretical basis for optimizing the flow control devices is established.
通过模型研究为中间包内控流装置的结构优化提供了理论依据。
3.
The new flow control devices, turbulence inhibitor and wall gas blowing, have been developed for the tundish of slab continuous casting in No.
结合本钢炼钢厂板坯中间罐的控流装置,通过实验室对比试验研究,开发了新型控流装置——湍流控制器和微细泡气幕挡墙。
2) flow control devices
控流装置
1.
Optimization of flow control devices in a slab continuous casting tundish;
板坯连铸中间包内控流装置结构的优化
2.
Physical and Mathematical Simulation on Flow Control Devices of Tundish for Thin Slab Concaster;
薄板坯连铸中间包控流装置的数理模拟
3.
Study on Optimization of Flow Control Devices in Four-Strand T Type Tundish;
四流T型中间包控流装置的优化研究
3) microfluidics
微流控装置
1.
A new continuous-flow PCR microfluidics was successfully designed and constructed,in which several factors that might affect the continuous-flow PCR amplification had been investigated in detail,including annealing temperature,concentrations of some PCR reagents(forward/reverse primers,Mg2+,dNTPs and DNA polymerase enzyme) and flow rates of PCR solution in the capillary microchannel.
介绍了基于薄膜加热器的新型连续流动式PCR微流控装置的设计与制作;讨论了退火温度、PCR反应试剂(引物、Mg2+、dNTPs以及Taq DNA聚合酶)浓度以及PCR溶液的流动速度等对连续流动式PCR反应的影响;结果发现反应试剂影响连续流动式微流控PCR扩增的行为不同于它们影响传统PCR的行为,在较宽的浓度范围内都不会引起非特异性扩增。
2.
The microfluidics based PCR technology is always one of the hotspots in the increasing development of the microfluidics technology for the biological fields.
本研究工作是在对目前PCR微流控装置研究现状综合分析的基础上提炼出两种结构新型的毛细管基连续流动式PCR微流控装置，并对其进行必要的生物化学性能测试。
4) microfluidic device
微流控装置
1.
A new microfluidic device was described in this paper.
论文描述了一个新的微流控装置，它是利用重力驱动的芯片多相层流测定装置，它使分析物从一种流体通过相界面自由扩散迁移到另一种流体成为可能，含有分析物的液体和不含分析物的液流由于浓度梯度而产生横向扩散，用数学方法处理可最小限度探明含有分析物的液体分子扩散到不含分析物的液流的物质的含量可将小分子待测物与大分子物质分离。
5) Silicon controlled rectifier
可控硅整流装置
1.
This paper focuses on the working principle of limiting current and over current protection method in a silicon controlled rectifier.
文中重点介绍可控硅整流装置中限流保护方案的工作原理。
6) throttle control unit
节流控制装置
补充资料：可控串联补偿装置
可控串联补偿装置
thyristor controlled series compensator,TCSC
kekong ehuonllan buehong zhuangzhl可控串联补偿装t(thyristor。ontrolledseries eompensator，TCsC)在输电线路申联补偿电容器两端并联上晶闸管控制的电抗器及其保护控制等设备组成的装里，又称晶闸管控制的申联补偿器，简称可控串补.它可以在相当广的范围内平滑快速地调节串联补偿装!的电抗。其主要优点是:①提高电力系统的稳定性，增加系统的输送能力;②改善系统的运行电压和无功平衡条件，③灵活调节并联线路或环网中的潮流分布;④抑制次同步谐振;⑤阻尼功率摇摆及低频振荡;⑥限制短路电流，降低对金属氧化物限压器的能量要求;⑦减少线路三相不平衡度。但其每千乏(kvar)的造价要比固定申联电容补偿装置高。 甚本组成可控串联补偿装置的接线示意图如图1所示。 串联电容器见串联电容补偿装1。 金属氧化物限压器(MOV)见串联电容补偿装!。 反向并联晶闸管用于控制旁路电抗导通时间。一般要求采用损耗低、门极扩散速度快、di/dt高的大功率高压晶闸管。 旁路电抗一般采用空心电抗器。其工频电抗值小于电容器的工频容抗值，两者之比约0.12~0.2。其品质因数在80以上。 阻尼元件见串联电容补偿装里。 旁路断路器或开关见串联电容补偿装1。 旁路隔离开关、隔离开关见串联电容补偿装1。电抗.从图中可以看出从感性到容性之间有一空白区。在实际工程中，可将可控串联补偿装置分成若干段(模块)串联而成，其中一部分模块工作在容性调节区，另一部分工作在感性区，这样可以减少或消除容性电抗与感性电抗之间的空白区，扩大可控串补的调节范围和工作能力。 发展简况可控串补的思路来自于美国钦格拉尼(N·G·Hingorani)在20世纪80年代提出的次同步谐振阻尼器(NGH一SSR Damper)，它与可控申补的差别是用旁路电阻代替图1的旁路电抗。该装置于1985年在美国公格(Lugo)投人运行。1991年10月与可控串补(TCSC)很相似的345kV晶闸管投切申联补偿器(TSSC)在美国电力公司(AEP)的卡拉瓦河(KanawhaRiver)申补站投人使用(ABB公司生产)。TSSC与TCSC的主要差别是:TSSC的旁路电抗值选得比TCSC的小得多，它只能运行在接入或旁路两种状态。1992年秋230kV的可控申补在美国西部电力管理局(WAPA)的卡因塔(Kay即ta)申补站投人使用，该装里由西门子公司生产，又称先进串补(ASC)。1993年9月由GE公司制造55okV的可控申补在美国邦纳维尔电力局(BPA)的斯拉脱(SlatO申补站投人使用.1997年由ABB制造的4。。kV可控申补在瑞典斯多德(stode)串补站投人使用。
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参考词条