1) filtered cathodic arc plasma
磁过滤等离子体
1.
Cu-doped diamond-like carbon(DLC) nanodot arrays with excellent field emitting properties were fabricated on the AAO template by the filtered cathodic arc plasma technique.
利用磁过滤等离子体结合氧化铝模板(AA0)技术在室温下制备了具有优异场发射性能的铜掺杂类金刚石(DLC)纳米点阵列。
2.
The high quality DLC films were successfully deposited on the surface of silicon substrates at room temperature by the filtered cathodic arc plasma(FCAP) equipment.
利用自行研制的磁过滤等离子体技术(FCAP),并创造性地对衬底施加低频率周期性负偏压,在室温下的单晶硅表面上制备了高质量的非晶金刚石薄膜。
3.
Nano-structure TiN thin films were deposited on silicon substrate at room temperature using filtered cathodic arc plasma (FCAP) system.
在室温条件下,用磁过滤等离子体装置在单晶硅基底上制备了纳米结构TiN薄膜。
2) filtered cathodic arc plasma
磁过滤阴极弧等离子体
1.
Titanium nitride coatings were deposited on unheated stainless steel substrate and stainless steel substrate heated to 400 ℃ by filtered cathodic arc plasma deposition (FCAP) and direct current magnetron sputtering deposition (DCSP), respectively.
分别利用磁过滤阴极弧等离子体沉积装置和直流磁控溅射装置在不锈钢基底上制备了 Ti N涂层 ,采用 X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪和扫描电子显微镜对涂层的结构及形貌进行了表征 ;利用纳米压痕仪测定了涂层的硬度 ;在 DF- PM型动摩擦系数精密测定仪上考察了涂层的摩擦学性能 。
2.
This thesis focused on the preparation of amorphous carbon nanotip arrays for excellent field emission cathode material by a unique combination of the anodic aluminum oxide (AAO) template and filtered cathodic arc plasma (FCAP) technology.
本论文以磁过滤阴极弧等离子体技术结合阳极氧化铝模板制备冷阴极场发射材料非晶碳纳米尖点阵列膜为重点,分别对阳极氧化铝模板的制备工艺、模板孔径大小和孔道开口形状的准确控制及其性能进行了研究探讨,对非晶碳纳米尖点阵列的制备技术、性能进行了较为深入详细的分析探讨。
3) filtered arc cathodic plasma deposition
磁过滤等离子体沉积
4) metal vapor vacuum are ion deposition
磁过滤等离子沉积
5) magnetoplasma
磁等离子体
1.
Principle and research progress of variable specific impulse magnetoplasma rocket;
可变比冲磁等离子体火箭原理与研究进展
6) magnetized plasma
磁化等离子体
1.
FDTD simulation for magnetized plasma photonic crystals;
磁化等离子体光子晶体的FDTD分析
2.
SO-FDTD analysis of anisotropic magnetized plasma;
各向异性磁化等离子体的SO-FDTD算法
3.
A JEC-FDTD implementation for anisotropic magnetized plasmas;
各向异性磁化等离子体JEC-FDTD算法
补充资料：等离子体压强和磁压强
在流体近似下，可以把等离子体看成是彼此相互作用的电子和离子两种气体的混合物。它们各具有动力压强,上述两种气体成分的分压强之和P=k(niTi+neTe)称为等离子体压强，k是玻耳兹曼常数,角标i、e分别表示离子和电子。
经常遇到的处在静磁场 B中的等离子体，除了等离子体压强外，它还受到磁力 作用，j是电流密度。当磁力线是直的并互相平行时，(B·墷)B项等于零，相当于压强，称为等离子体磁压强。
在等离子体压强和磁压强并存之时，常用参数表示磁压强的相对重要性。这个参数称为比压。
经常遇到的处在静磁场 B中的等离子体，除了等离子体压强外，它还受到磁力 作用，j是电流密度。当磁力线是直的并互相平行时，(B·墷)B项等于零，相当于压强，称为等离子体磁压强。
在等离子体压强和磁压强并存之时，常用参数表示磁压强的相对重要性。这个参数称为比压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条