1) cluster-beam deposition
团簇束流沉积
2) copper cluster beam deposition
铜团簇束沉积
3) ionized cluster beam deposition
离化团簇束沉积
5) reactive ionized cluster beam deposition
反应离化团簇束沉积
1.
The principle and properties of reactive ionized cluster beam deposition technique(RICBD) have been introduced.
讨论了反应离化团簇束沉积 (RICBD)方法的原理和特点 ,利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在Si衬底上生长GaN薄膜 ,并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析 ,证实形成了良好的GaN薄膜。
6) ionized cluster beams deposition
离化团束沉积
补充资料：簇簇新
1.极言其新。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条