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1)  soft magnetism
软磁性
2)  soft magnetic property
软磁性
3)  soft magnetic properties
软磁性
1.
Effect of interface on microstructure and soft magnetic properties of Fe_(65)Co_(35) thin films
界面对Fe_(65)Co_(35)薄膜微结构和软磁性的影响
2.
The recent studies have indicated that Fe_(70)Co_(30)N,Fe_(60)Co_(40)N,and Fe_(81)Co_(19)N films have good soft magnetic properties.
因此,具有高饱和磁化强度和良好高频动态特性的软磁性薄膜越来越受到重视,对高频软磁性薄膜的深入研究对于满足这些需求具有重要的意义。
4)  soft magnetic behavior
软磁性
1.
It was found that the as-cast Fe68Nd5Zr2Y4B21 alloy exhibited the soft magnetic behavior, while hard magnetic behavior after crystallization.
结果表明,Fe68Nd5Zr2Y4B21大块非晶合金在铸态下为软磁性
2.
The results show that the Fe63-xNd37Alx (x= 5, 8, 10, 12) alloys all show soft magnetic behavior.
结果表明:Fe63-xNd37Alx(x=5,8,10,12)合金均表现为软磁性
5)  soft magnetic properties
软磁特性
1.
The resistivity, soft magnetic properties and microwave permeability of multilayer nanogranular films suitable for high frequency applications have been investigated in this work.
研究了应用于微波频段的多层纳米颗粒膜的电阻率、软磁特性和微波磁导率。
6)  soft magnetic property
软磁性能
1.
In view of the excellent soft magnetic property of iron-nitrogen alloy film, iron-nitrogen alloy films were prepared with electroless plating method under alkaline condition on copper sheet substrate.
鉴于铁-氮合金薄膜具有优良的软磁性能,以铜片为基体,在碱性条件下制得化学镀铁-氮合金薄膜;并确定了最佳工艺条件:硫酸亚铁铵4g/L、氯化亚铁12g/L、酒石酸钾钠12g/L、水合肼60g/L、pH为12、温度85~90℃;通过X-射线衍射及扫描电镜对镀样的形貌、成分进行初步分析,结果表明化学镀铁-氮合金薄膜是可行的。
2.
It is interesting to note that the significant improvement of its soft magnetic property after compositing iron powder,especially,the amount of iron powder is 40wt%,the value of its permeability is to maximum.
结果表明,在200~350℃和350~400℃内退火,随着温度的升高,μe均呈先增大后减小,375℃时达到最佳;当复合Fe粉后,发现其软磁性能得到了明显改善,Fe粉量为40%时,μe达到最大,且在100kHz~1MHz内,频率稳定性良好,其中心频率在500kHz附近,并随Fe粉量的增加而向低频发生偏移。
3.
Through the analysis of VSM,it is found that its soft magnetic property is very poor with saturated magnetic induction intensity ranging between 0.
通过VSM分析,其软磁性能很差,饱和磁感只有0。
补充资料:磁性材料2.薄膜磁性材料


磁性材料2.薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film

在一定外加磁场作用下,其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看,这些柱形畴好像浮着的一群圆泡,故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下,可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失,实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m),每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕,因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发,已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌,磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小,2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看,以铁氧体磁泡材料比较成熟,早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料,后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜,其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol,的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度,~p,K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│41000 ││ │ (ZMHz) │ (20MHz) │└────────┴──────┴────────┘·3.磁光材料呻〕 当前所用的磁光材料是利用磁光效应制作的磁性材料。
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参考词条