1) electrical deposition
静电场沉积
2) electric field deposition
电场沉积
1.
Manufacture of nano-films by electrocircuit-less electric field deposition;
无电流电场沉积CdS纳米薄膜
3) precipitation static discharge
沉积静电放电
1.
Three precipitation static discharge modes are introduced,which are sparkover and arc,streamering discharge and corona discharge.
简述了沉积静电的形成机理;介绍了沉积静电的3种放电形式:跳火花和电弧、表面流光放电、电晕放电;具体讨论了沉积静电放电效应;通过对无沉积静电、轻度沉积静电、严重沉积静电三种条件下电磁场天线接收信号的分析,研究了沉积静电对导航系统的影响;针对沉积静电的危害,从沉积静电防护的目标和具体的防护措施两方面讨论了沉积静电的防护对策。
4) electrospray deposition(ESD)
静电喷涂沉积(ESD)
5) precipitation static effect
沉积静电效应
1.
Study on the precipitation static effect and its protection;
沉积静电效应及防护研究
6) precipitation static protection
沉积静电防护
补充资料：静电场
观察者与电荷相对静止时所观察到的电场。它是电荷周围空间存在的一种特殊形态的物质，其基本特征是对置于其中的静止电荷有力的作用。库仑定律描述了这个力。
电场强度 表示电场物理性质的基本量之一是电场强度E,它是矢量。电场强度E对场中其他电荷q┡的作用力为
静电场具有无旋场（位场）的性质，即沿场内任一环路l的电场强度E的线积分为0，
该式的微分形式为静电场强度的旋度等于0，
静电场具有点源场的性质，在自由空间中由任意闭合面S穿出的电场强度通量应等于S内所有电荷的代数和并除以真空介电常数ε0，
静电感应 如果电场中存在导体，在电场力的作用下出现静电感应现象,使原来中和的正、负电荷分离,出现在导体表面上。这些电荷称为感应电荷。总的电场是感应电荷与自由电荷共同作用结果。达到平衡时，导体内部的电场为零。静电感应现象有一些应用，但也可能造成危害。
静电场中的介质 电场中的绝缘介质又称为电介质。由于电场力的作用在原子尺度上出现了等效的束缚电荷。这种现象称为电介质的极化。对一种绝缘材料，当电场强度超过某一数值时，束缚电荷被迫流动造成介质击穿而失去其绝缘性能。因此静电场的大小对电工器件的设计及材料选择十分重要。
有介质时的静电场是由束缚电荷及自由电荷共同产生的，为了表示这二者共同作用下的电场，可以引入另一个场矢量电通量密度D（又称电位移）。它定义为
式中P为电介质的极化强度，则可得高斯通量定理
式中q仅为S面内所有自由电荷，而不包括电介质的束缚电荷。高斯通量定理的微分形式为电位移的散度等于该点自由电荷（体）密度ρ，
墷·D＝ρ
电介质的极化强度P与电场强度E有关，而电通量密度又与P 和E 有关，故可得表示电介质的本构方程
D＝εE
式中ε=(1+χ)ε0,为电介质的介电常数(即电容率)。对于线性电介质,ε为一常数；对于各向异性的电介质,D与E将不同向,ε为一张量。ε＝εrε0，εr称为相对介电常数。
电位 由于静电场是无旋场,故可用标量电位φ表征静电场（见电位）。电位与电场强度的关系是式中Q点为电位参考点，可选在无穷远处；P点为观察点。上式的微分形式为电场强度等于电位的负梯度，即
E＝-墷φ在ε为常数的区域，式中墷·墷可记作墷2，在直角坐标中分别为一阶与二阶微分算符。这样,可得电位φ所满足的微分方程称为泊松方程。如果观察点处自由电荷密度ρ为0，则墷2φ＝0称为拉普拉斯方程。泊松方程和拉普拉斯方程描述了静电场空间分布的规律性。可以证明，当已知ρ、ε及边界条件时，泊松方程或拉普拉斯方程的解是惟一的，可以设法求解电位φ，再求出场中各处的E。
参考书目
王先冲编：《电磁场理论及应用》，科学出版社，北京，1986。
电场强度 表示电场物理性质的基本量之一是电场强度E,它是矢量。电场强度E对场中其他电荷q┡的作用力为
静电场具有无旋场（位场）的性质，即沿场内任一环路l的电场强度E的线积分为0，
该式的微分形式为静电场强度的旋度等于0，
静电场具有点源场的性质，在自由空间中由任意闭合面S穿出的电场强度通量应等于S内所有电荷的代数和并除以真空介电常数ε0，
静电感应 如果电场中存在导体，在电场力的作用下出现静电感应现象,使原来中和的正、负电荷分离,出现在导体表面上。这些电荷称为感应电荷。总的电场是感应电荷与自由电荷共同作用结果。达到平衡时，导体内部的电场为零。静电感应现象有一些应用，但也可能造成危害。
静电场中的介质 电场中的绝缘介质又称为电介质。由于电场力的作用在原子尺度上出现了等效的束缚电荷。这种现象称为电介质的极化。对一种绝缘材料，当电场强度超过某一数值时，束缚电荷被迫流动造成介质击穿而失去其绝缘性能。因此静电场的大小对电工器件的设计及材料选择十分重要。
有介质时的静电场是由束缚电荷及自由电荷共同产生的，为了表示这二者共同作用下的电场，可以引入另一个场矢量电通量密度D（又称电位移）。它定义为
式中P为电介质的极化强度，则可得高斯通量定理
式中q仅为S面内所有自由电荷，而不包括电介质的束缚电荷。高斯通量定理的微分形式为电位移的散度等于该点自由电荷（体）密度ρ，
墷·D＝ρ
电介质的极化强度P与电场强度E有关，而电通量密度又与P 和E 有关，故可得表示电介质的本构方程
D＝εE
式中ε=(1+χ)ε0,为电介质的介电常数(即电容率)。对于线性电介质,ε为一常数；对于各向异性的电介质,D与E将不同向,ε为一张量。ε＝εrε0，εr称为相对介电常数。
电位 由于静电场是无旋场,故可用标量电位φ表征静电场（见电位）。电位与电场强度的关系是式中Q点为电位参考点，可选在无穷远处；P点为观察点。上式的微分形式为电场强度等于电位的负梯度，即
E＝-墷φ在ε为常数的区域，式中墷·墷可记作墷2，在直角坐标中分别为一阶与二阶微分算符。这样,可得电位φ所满足的微分方程称为泊松方程。如果观察点处自由电荷密度ρ为0，则墷2φ＝0称为拉普拉斯方程。泊松方程和拉普拉斯方程描述了静电场空间分布的规律性。可以证明，当已知ρ、ε及边界条件时，泊松方程或拉普拉斯方程的解是惟一的，可以设法求解电位φ，再求出场中各处的E。
参考书目
王先冲编：《电磁场理论及应用》，科学出版社，北京，1986。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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