1) semiconductor nanocrystals
半导体纳米晶
1.
In recent years,the applications ofⅡ-Ⅵsemiconductor nanocrystals in combination with polymer in the fields of optoelectronic devices have become the research focus in the domestic and overseas areas.
Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶与聚合物的复合物在光电器件领域的应用近年来成为国内外研究的热点。
2.
The colloidal semiconductor nanocrystals are playing more and more important role in the aspect of optical devices, disease diagnosis, laser, etc.
半导体纳米晶由于其独特的光学和电学性质在光学器件、医疗诊断、激光等方面有了越来越重要的应用。
3.
Due to quantum confinement effect,band gap of semiconductor nanocrystals(NCs) is dependent on the particle size.
由于量子限域效应,半导体纳米晶的能带宽随粒子大小而改变。
2) semiconductor nanocrystal
半导体纳米晶
1.
Due to their unique size-dependent optical and electronic properties, semiconductor nanocrystals have attracted a great deal of attention in recent decades.
半导体纳米晶材料由于具有表面效应、量子尺寸效应、介电限域效应、特殊的热学性质、光学性质及光电化学性质等而成为材料科学和化学领域的研究热点。
2.
CdSe/CdS core/shell semiconductor nanocrystals(CdSe/CdS C/S NCs) were prepared by CdS epitaxial growth on the surface of CdSe semiconductor NCs in aqueous phase through co-precipitation.
采用共沉淀法在水相中将CdS外延生长于CdSe半导体纳米晶(CdSe NCs)表面,制备了结晶形态较好的CdSe/CdS核壳结构半导体纳米晶(CdSe/CdSC/SNCs),并改善了CdSe NCs的荧光性能。
3) Semiconductor nanocrystals
半导体纳米晶体
1.
Some typical doping methods and technics of Ⅱ-Ⅵ group semiconductor nanocrystals are presented.
介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在的问题。
4) InN semiconductor nanocrystals
InN半导体纳米晶
1.
Study on the transformation activation energy in InN semiconductor nanocrystals;
InN半导体纳米晶相变活化能的研究
5) Diluted magnetic semiconductor nanocrystal
稀磁性半导体纳米晶体
1.
Diluted magnetic semiconductor nanocrystal (DMSNC) is a new type of semiconductor materials.
近年来兴起的稀磁性半导体纳米晶体(DMSNC)是一种新型的半导体材料,由于其优异的光电磁性能得到了国内外研究人员的重视,并取得了快速发展,有望在多个领域得到应用。
6) nano_scale semiconductor particles
纳米级半导体微晶
1.
Glass doped with nano_scale semiconductor particles has obvious nonlinear optical properties and the quantum_size effect is large.
纳米级半导体微晶掺入玻璃可产生非线性光学性质 ,其量子尺寸效应非常明显。
补充资料：半导体应变计
利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件，又称半导体应变片。压阻效应是半导体晶体材料在某一方向受力产生变形时材料的电阻率发生变化的现象（见压阻式传感器）。半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在弹性敏感元件上间接地感受被测外力。利用不同构形的弹性敏感元件可测量各种物体的应力、应变、压力、扭矩、加速度等机械量。半导体应变片与电阻应变片(见电阻应变计)相比，具有灵敏系数高（约高 50～100倍）、机械滞后小、体积小、耗电少等优点。P型和N型硅的灵敏系数符号相反，适于接成电桥的相邻两臂测量同一应力。早期的半导体应变计采用机械加工、化学腐蚀等方法制成，称为体型半导体应变计。它的缺点是电阻和灵敏系数的温度系数大、非线性大和分散性大等。这曾限制了它的应用和发展。自70年代以来，随着半导体集成电路工艺的迅速发展，相继出现扩散型、外延型和薄膜型半导体应变计，上述缺点得到一定克服。半导体应变计主要应用于飞机、导弹、车辆、船舶、机床、桥梁等各种设备的机械量测量。
体型半导体应变计 这种半导体应变计是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，最后粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。体型半导体应变计可分为6种。①普通型:它适合于一般应力测量；②温度自动补偿型：它能使温度引起的导致应变电阻变化的各种因素自动抵消，只适用于特定的试件材料；③灵敏度补偿型：通过选择适当的衬底材料（例如不锈钢），并采用稳流电路，使温度引起的灵敏度变化极小；④高输出（高电阻）型：它的阻值很高（2～10千欧）,可接成电桥以高电压供电而获得高输出电压，因而可不经放大而直接接入指示仪表。⑤超线性型:它在比较宽的应力范围内,呈现较宽的应变线性区域，适用于大应变范围的场合；⑥P-N组合温度补偿型:它选用配对的P型和N型两种转换元件作为电桥的相邻两臂，从而使温度特性和非线性特性有较大改善。
薄膜型半导体应变计 这种应变计是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上或蓝宝石上制成的（图1）。它通过改变真空沉积时衬底的温度来控制沉积层电阻率的高低，从而控制电阻温度系数和灵敏度系数。因而能制造出适于不同试件材料的温度自补偿薄膜应变计。薄膜型半导体应变计吸收了金属应变计和半导体应变计的优点，并避免了它的缺点，是一种较理想的应变计。
扩散型半导体应变计 这种应变计是将 P型杂质扩散到一个高电阻N型硅基底上，形成一层极薄的P型导电层,然后用超声波或热压焊法焊接引线而制成（图2）。它的优点是稳定性好，机械滞后和蠕变小，电阻温度系数也比一般体型半导体应变计小一个数量级。缺点是由于存在P-N结，当温度升高时,绝缘电阻大为下降。新型固态压阻式传感器中的敏感元件硅梁和硅杯等就是用扩散法制成的。
外延型半导体应变计 这种应变计是在多晶硅或蓝宝石的衬底上外延一层单晶硅而制成的。它的优点是取消了P-N结隔离，使工作温度大为提高(可达300℃以上)。
参考书目
袁希光主编：《传感器技术手册》，国防工业出版社，北京，1986。
体型半导体应变计 这种半导体应变计是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，最后粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。体型半导体应变计可分为6种。①普通型:它适合于一般应力测量；②温度自动补偿型：它能使温度引起的导致应变电阻变化的各种因素自动抵消，只适用于特定的试件材料；③灵敏度补偿型：通过选择适当的衬底材料（例如不锈钢），并采用稳流电路，使温度引起的灵敏度变化极小；④高输出（高电阻）型：它的阻值很高（2～10千欧）,可接成电桥以高电压供电而获得高输出电压，因而可不经放大而直接接入指示仪表。⑤超线性型:它在比较宽的应力范围内,呈现较宽的应变线性区域，适用于大应变范围的场合；⑥P-N组合温度补偿型:它选用配对的P型和N型两种转换元件作为电桥的相邻两臂，从而使温度特性和非线性特性有较大改善。
薄膜型半导体应变计 这种应变计是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上或蓝宝石上制成的（图1）。它通过改变真空沉积时衬底的温度来控制沉积层电阻率的高低，从而控制电阻温度系数和灵敏度系数。因而能制造出适于不同试件材料的温度自补偿薄膜应变计。薄膜型半导体应变计吸收了金属应变计和半导体应变计的优点，并避免了它的缺点，是一种较理想的应变计。
扩散型半导体应变计 这种应变计是将 P型杂质扩散到一个高电阻N型硅基底上，形成一层极薄的P型导电层,然后用超声波或热压焊法焊接引线而制成（图2）。它的优点是稳定性好，机械滞后和蠕变小，电阻温度系数也比一般体型半导体应变计小一个数量级。缺点是由于存在P-N结，当温度升高时,绝缘电阻大为下降。新型固态压阻式传感器中的敏感元件硅梁和硅杯等就是用扩散法制成的。
外延型半导体应变计 这种应变计是在多晶硅或蓝宝石的衬底上外延一层单晶硅而制成的。它的优点是取消了P-N结隔离，使工作温度大为提高(可达300℃以上)。
参考书目
袁希光主编：《传感器技术手册》，国防工业出版社，北京，1986。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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