1) Ta-N thin film resistor
Ta-N薄膜电阻
1.
A Ta-N thin film resistor was integrated in anodic alumina MCM-D substrate using RF reactive sputtering.
在铝阳极氧化多层基板内用RF反应溅射制备了埋置型Ta-N薄膜电阻,研究了铝阳极氧化过程对Ta-N薄膜电阻和显微结构的影响。
2) Fe Ta N films
Fe-Ta-N薄膜
3) Ta-C(N) films
Ta-C(N)薄膜
4) Ta-N/Zr film
Ta-N/Zr薄膜
5) Nitrogenated tetrahedral amorphous carbon(ta-C∶N)
ta-C∶N薄膜
1.
Nitrogenated tetrahedral amorphous carbon(ta-C∶N) films were prepared on the polished C—Si substrates by introducing highly pure nitrogen gas into the cathode region and the depositing chamber synchronously using filtered cathodic vacuum arc(FCVA) technology.
用过滤阴极真空电弧沉积系统制备掺N非晶金刚石(ta-C∶N)薄膜,通过在阴极电弧区和沉积室同时通入N2气实现非晶金刚石薄膜的N原子掺杂,并通过控制N2气流速制备不同N原子含量的ta-C∶N薄膜。
6) Ta-Al-N nanoscale film
Ta-Al-N纳米薄膜
补充资料：薄膜电阻材料
薄膜电阻材料
materials for film resistance
bOOmO dlo门Zu CO一{一00薄膜电阻材料(materials for film resistanee) 用于制造薄膜电阻的材料。电子技术中广泛应用薄膜电阻材料来制造分立电阻元件及集成电路中的电阻元件。有二类薄膜电阻材料，一类是碳膜，另一类是金属膜。早期大量使用碳膜电阻，但由于工艺上的原因，碳膜电阻的容许误差高达士10%以上，而且温度系数大，因此在要求高的场合普遍使用金属膜电阻。当金属的厚度小于电子在金属中的平均自由程时，电阻率急剧增加。利用这一效应可制成体积很小而阻值很高的金属膜电阻。其阻值误差可控制在士(2 .5~5)%内，而且电阻温度系数远小于碳膜电阻。金属膜电阻的时间稳定性较好，体积比相同功率的碳膜电阻小得多。薄膜电阻一般成膜于陶瓷或玻璃基体上。碳膜还可以成膜于绝缘纸板上。金属成膜可采用蒸镀法、阴极溅射法、还原法和氧化物烧结法。常用的金属膜材料有镍铬合金(Ni一Cr)、氮化担(TaN)、Cr一510、氧化锡(SnOZ)等。其中Cr一510用于制造zMn以上的高值电阻。金属膜电阻的温度系数大致是10一咭(1/℃)量级，有正温度系数和负温度系数二类。碳膜电阻具有负的温度系数，数值是10一3(1/℃)量级，其时间稳定性比金属膜电阻差得多。
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参考词条