1) absorption spectra
吸收谱
1.
X-ray absorption spectra and emission spectra of plasmas;
等离子体X射线吸收谱及发射谱研究
2.
The absorption spectra and emission spectra (excitated under 470nm) of Tm:LGS single crystal was measured at room temperature.
利用X射线粉末衍射确定了Tm3+掺杂硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体的晶体结构;运用DICVOL91程序计算了该晶体不同部位的晶胞参数;测定了Tm:LGS晶体的室温吸收谱和470nm光激发下的发射光谱;根据Judd-Ofelt理论拟合了Tm3+的三个晶场调节参数Ωt(t=2,4,6),分别为2。
3.
After γ-irradiation treatment,the fluorescence spectra and absorption spectra are measured at room temperature for samples with high-optical quality.
本文用提拉法生长了Ti:Al2O3晶体,并测定了γ光子幅照处理后的晶体样品的荧光谱和吸收谱。
2) absorption spectrum
吸收谱
1.
Influence on the absorption spectrum of lead silicate glass films after UV laser irradiation;
紫外激光照射对硅酸铅玻璃薄膜吸收谱的影响
2.
The subject in this paper focused on measurement of microwave absorption spectrum of nasopharyngeal cancer cell(CNE1).
本文进行鼻咽癌细胞系CNE1对微波辐照的吸收谱测量,搭建以HP83630扫频信号源,标量网络分析仪AV3617为主要器件的程控自动化测试系统,在此基础上设定了可重复操作的实验方法。
3.
We collect the UV absorption spectrum of the serum from different breast patient with the UV-3150 spectro-photometer made in Japan Dao-Jin company.
测量了不同乳腺疾病患者血清的紫外吸收谱。
3) Absorption spectroscopy
吸收谱
1.
K-shell absorption spectroscopy of radiatively heated Al sample is reported.
报道了辐射加热Al样品的K壳层辐射吸收谱实验。
4) absorption spectrum
吸收光谱，吸收谱
5) absorption spectrum
吸收光谱;吸收谱
6) Absorption spectrum
吸收光谱
1.
Unified explanation of the local structure,absorption spectrum and paramagnetic g-factor of RbNiCl_3 crystal;
RbNiCl_3晶体的局域结构、吸收光谱和顺磁g因子的统一解释
2.
Study on the Absorption Spectrum of Architectural Coating Assistant Cobalt(Ⅱ) APQO;
建筑涂料助剂钴(Ⅱ)-APQO吸收光谱研究
3.
The product of every valence of Mn in solutions and its absorption spectrum;
溶液中各价态锰的生成及吸收光谱
补充资料：晶体吸收谱
晶体吸收谱
Crystal absorption spectra
度的灰色外观。但是有少数特例，像铜和金，自由载流子吸收和内亲吸收过程都同等重要，因而在可见光区的吸收谱有很大变化。 内襄吸收在成键(满价)能带和反成键(空导)能带之间电子的跃迁会产生与自由原子的线吸收谱相当的晶体吸收谱。在谱线的可见和紫外部分，这些内察吸收支配着半导体和绝缘体的光学性质。在可见和近紫外范围内，能带中电子能量随电子动量的变化会在晶体的吸收谱中产生结构。内案吸收的最明显特征是谱线具有基本吸收边，它标志着低能透明区与高能强吸收区之间的边界，基本吸收边能量由禁隙决定，即晶体的最高价带和最低导带两个态之间的能量差。吸收边或禁隙可以不存在〔在金属中，像铅(Pb)、白锡中;在半金属中，像锑(Sb)、秘(Bi)中]，可以是零(在半导体中，像H莎dTe合金之一灰锡)，吸收边或禁隙落在红外区〔在半导体中，像锗(Ge)、硅(51)、砷化稼(GaAs)〕，或是出现在可见光区[在半导体中像磷化稼(Gap)，硫化锡(CdS)〕，或是深入紫外部分[在绝缘体中，像碳(C)即金刚石、氯化钠(NaCI)、二氧化硅(5102)、氟化锉(LIF)]。参阅“固体能带论，，(band theo巧of solids)。 内察吸收谱有间接和直接的两种类型，根据声子是否参与吸收过程而定。间接吸收过程的情况是很难出现的，其吸收系数比直接的跃迁要小一百倍到一千倍。在某些晶体(锗、硅、磷化稼)中它们是重要的，在这些晶体中最高价态和最低导电态的电子动量具有不同的数值，因而这一吸收过程中需要一个声子使得动量守恒。在另外一些晶体(砷化稼、氧化锌)中，最高价态和最低导电态的电子动量相同，基本吸收边是直接吸收的类型。 不论是直接的或是间接的跃迁，被激发的电子都受到库仑相互作用而被吸引到空位或空穴，空穴是由于电子的激发在价带中产生的。电子和空穴有强烈地结合在一起的倾向，形成称为激子的类氢态。激子对吸收边附近的吸收谱的形状有很大的影响。正结合能是指产生一个激子所需的能量略小于禁隙的能量。激子的产生使得有可能吸收小于禁隙的辐射能量。最低可能的激子吸收过程使得在大多数半导体的吸收边上和绝缘体的吸收边上看到一条单线。此外，紧接在基本吸收边上激子效应使吸收过程有强烈的增加。参阅“激子”(exeiton)条。 在基本吸收边以上的吸收结构起因于临界点，像基本吸收边本身那样，临界点代表着新的价带和导带之间跃迁成为可能的能量〔在临界点M。，电子能量作为电子动量的函数达到相对极小)，或者代表着原来有效的带一对跃迁变为不可能(在临界点M3，电子能量达到相对极大)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条