1) semiconductor
[英][,semikən'dʌktə(r)] [美]['sɛmɪkən'dʌktɚ]
半导体
1.
Progress of diamond tools for cutting silicon material in semiconductor Industry;
半导体工业硅材料加工用金刚石工具的发展
2.
Semiconductor Properties of Anodic Oxide Film Formed on Aluminum;
铝阳极氧化膜的半导体特性
2) semiconductors
半导体
1.
The Pointwise Estimates of Solution for One-dimensional Hydrodynamic Model for Semiconductors;
一维半导体流体动力学模型的解的逐点估计(英文)
2.
Preparations of Low Dimensional Oxide Semiconductors and Constructions of Gas-sensing Devices;
低维半导体氧化物的合成及气体传感器的研制
3.
The Analysis of Drift-diffusion and Hydrodynamic Models for Semiconductors;
半导体材料科学中的漂移扩散模型和流体动力学模型分析
3) Semi-conductor
半导体
1.
For "determination of naphthalene molecular weight with freezing point depression" in physics chemistry experiment,the semi-conductor system cold freezing point measurement instrument was researched and manufactured.
为了配合物理化学实验“凝固点降级法测定萘的摩尔质量”,研制出半导体制冷凝固点测定仪,实现了凝固点测定和摩尔质量计算的自动化,解决了老式实验装置存在的问题。
2.
A new air-condition system of semi-conductor on solar energy is put forward, a nd its construction,process and characters are discussed,and so for the applying prospects.
提出了一种新的太阳能半导体空调系统 ,讨论了它的组成、工作原理、特点以及应用前景 。
3.
The solar energy battery is a kind of to absorb the solar energy radiation and make availably of conversion is the semi-conductor electronics machine piece of the electric power,be apply in various lighting and generate electricity the system extensively.
太阳能电池是一种有效地吸收太阳能辐射并使之转化为电能的半导体电子器件,广泛应用于各种照明及发电系统中。
4) Diode
[英]['daɪəʊd] [美]['daɪod]
半导体
1.
The purpose of this study was to investigate the feasibility of diode laser-induced CNV model in the Brown Norway rats and compare different detection methods of CNV in the rat.
目的评价半导体倍频激光诱导棕色挪威(BN)大鼠脉络膜新生血管(CNV)模型的可行性。
2.
Objective To evaluate the feasibility of inducing choroidal neovascularization(CNV) in Brown Norway(BN) rats by diode laser with wavelength of 810 nm.
目的探讨应用810 nm半导体激光诱导棕色挪威(BN)大鼠脉络膜新生血管(CNV)模型建立的可行性。
3.
Choroidal neovascularization was induced in Brown Norway rats by diode-laser photocoagulation.
目的探讨应用半导体激光诱导建立BN大鼠脉络膜新生血管(choroidalneovascularization,CNV)模型的可行性。
5) semimagnetic semiconductor
半磁半导体
1.
A new class of magneto-optical switch effect, which does not require to change the direction of the magentic field applied to the sample, was realized in the semimagnetic semiconductor Cd_(1-x)Mn_xTe.
在半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe中实现了不需改变施加磁场方向的新型磁光开关效应,该效应是由Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉弟效应和磁光反馈系统的饱和特性产生的。
2.
We also call it Semimagnetic Semiconductor (DMS).
在非磁半导体中掺入微量的磁性原子会改变半导体的某些性质，使其呈现出一定的磁性，从而形成稀磁半导体，也称作半磁半导体(DMS)。
6) semiconductor waveguides
半导体波导
补充资料：半导体
| 半导体 semiconductor 电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体室温时电阻率约在10-5～107欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 本征半导体 不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（图 1 ）。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子 - 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。
半导体中杂质 半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多（图2）。在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是杂质能级，通常位于禁带下方靠近价带处。价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位，使杂质原子成为负离子。价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子（图3）。这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。存在受主杂质时，在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。半导体掺杂后其电阻率大大下降。加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小，半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的。对掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是导带中的电子，属电子型导电，称N型半导体。掺入受主杂质的半导体属空穴型导电，称P型半导体。半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对，故N型半导体中可存在少量导电空穴，P型半导体中可存在少量导电电子，它们均称为少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。
PN结 P型半导体与N型半导体相互接触时，其交界区域称为PN结。P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散，造成正负电荷在 PN 结两侧的积累，形成电偶极层(图4 )。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。当由于载流子数密度不等引起的扩散作用与电偶层中电场的作用达到平衡时，P区和N区之间形成一定的电势差，称为接触电势差。由于P 区中的空穴向N区扩散后与N区中的电子复合，而N区中的电子向P区扩散后与P 区中的空穴复合，这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层，故电偶极层也叫阻挡层，阻挡层的电阻值往往是组成PN结的半导体的原有阻值的几十倍乃至几百倍。
PN结具有单向导电性，半导体整流管就是利用PN结的这一特性制成的。PN结的另一重要性质是受到光照后能产生电动势，称光生伏打效应，可利用来制造光电池。半导体三极管、可控硅、PN结光敏器件和发光二极管等半导体器件均利用了PN结的特性。 |
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参考词条