1) complex permittivity
复介电常数
1.
Study on the complex permittivity of common organic reagent at 2.45 GHz;
2·45GHz下常用有机试剂复介电常数的测量与研究
2.
Measuring the complex permittivity of phantom model by perturbation method;
微扰法测量微波等效体模的复介电常数
3.
Measurement for complex permittivity and complex permeability of film;
薄膜材料复介电常数与复磁导率测试研究
2) complex dielectric constant
复介电常数
1.
The important parameters for the wave absorption effects are electromagnetic loss factor, complex dielectric constant, complex magnetic conductivity.
评价吸波效能的主要参数是损耗因子、复介电常数、复磁导率 。
2.
The approximate formula of polarization P and complex dielectric constant ε* are obtained.
建立了铁电液晶ＳｍＣ*相介电特性的分子理论，求出在外加交变电场作用下液晶系统的自由能密度，得到极化强度〈Ｐ〉和复介电常数ε*的近似表达式。
3.
The complex dielectric constant of contamination is one of the important parameters affecting the measurement results.
根据微波辐射特性,提出了一种新的污秽检测方法,该方法利用污秽物的复介电常数特性作为主要参数之一来测量污秽等级。
3) complex dielectric constant
复介电常数，复介电系数
4) complex dielectric permittivity
复数介电常数
5) Complex permeability tensor
复介电常数张量
6) complex capacitivity
复电容率，复介电常数
补充资料：复介电常数
复介电常数
complex dielectric constant
倒￡“ED(t)=“(田)及cos田t+￡，，(留)凡sin山t(1)相角子，即式中:/(。卜会cos“(。)，:。(。卜会sin“(。)(2)tg占=损耗电流11_f充电电流Ic一万 (7)即在交变电场下，D(t)和E(t)的关系要用两个物理量口和了来表征。上式中，相位占和了、了都是频率的函数，且与温度和电介质结构密切相关。 D(t)可分解为两个分量:一个与E同相位，另一与E有90。相位差。如将上述关系用复数表示，且令君*=Eoe，“‘，D*=Doej(“一泞)，则刀‘与E*的关系可表示为 D*(t)=‘*(臼)E*(t)(3)在式中引入复数介电常数扩=了一j已，则 二(田卜;斜一会一‘一‘(田卜j一‘。，“， 静态时，。=0、占=0。即￡，，=O，式(3)可表示为D=二，(0)E，其中￡，(O)即为静态介电常数￡s。可见，g(。)是静态介电常数在交变场下的推广，e’(。)称为频率依赖的介电常数。 动态时，在真空电容器中，电流虽然超前电场二/2，但由于占=0，而不产生损耗;故在具有介电常数的电容器中，单位时间、单位体积中损耗的能量评，可由E及与E同相的电流分量。扩E的乘积表示，即]。“E图1电介质中交流电场E 与电流I的矢量图部和虚部表示，而弛豫时间为 根据复介电常数定 义，由式(4)并经简化 处理后可得 ￡*(臼)=￡‘(臼)一j￡“ 6二一己。/。、 t田】=E。十二~一，犷一一~气己少 1一」田T 上式称为德拜公式，用 来表征复介电常数的频 率特性。如将其分成实:时，则得已=昆+65一三.l+田2r2(￡。一氛)田T1十田2丁2 已，，tg口一=万，二 Q(‘s一几)田丁￡s+氛田2丁2 (9)(10)(11)W一晋DOEOS‘n“一晋“‘“一‘E’“‘g“(5，合(￡·l一(去‘一‘。210 10()四T由于了的变化不大，因而能量损耗与复介电常数的虚部已成正比。式(4)中了(动称为介质的损耗因子。式(5)中占称为介质损耗角，tg沙称为介质损耗角正切或介电耗散因子。 在交流电路中，若置介质于平板电容器中，并在两极间外加交流电压V V=Voej“。.，_L一~~，卜。尸。
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参考词条